[发明专利]与降低信号端口的电容有关的方法和装置

权利要求书

1.一种用于降低信号端口的电容的装置，包括：

第一电容器，由设置在凸块金属与第一导电类型的区域之间的电介质限定；以及

第二电容器，与所述第一电容器串联并且由包括所述第一导电类型的所述区域和第二导电类型的区域的PN结限定，

所述第一导电类型的所述区域被配置为耦接至具有第一电压的第一节点以增大所述第一导电类型的区域与所述第二导电类型的区域之间的耗尽层，所述第二导电类型的所述区域被配置为耦接至具有不同于所述第一电压的第二电压的第二节点以增大所述第二导电类型的区域与具有第一导电类型的衬底之间的耗尽层。

2.根据权利要求1所述的装置，其中，所述第一电压或所述第二电压中的至少一者为偏置电压，所述偏置电压不同于与施加至所述凸块金属的信号相关的电压。

3.根据权利要求1所述的装置，其中，所述第一电容器包括设置在所述凸块金属与所述第一导电类型的所述区域之间的多个电介质层。

4.根据权利要求1所述的装置，其中，所述第一导电类型的所述区域为所述第一导电类型的第一区域，所述PN结为第一PN结，

所述装置还包括：

第三电容器，与所述第二电容器串联，所述第三电容器由包括所述第二导电类型的所述区域和所述第一导电类型的第二区域的第二PN结限定。

5.根据权利要求1所述的装置，其中，所述第一导电类型的所述区域为所述第一导电类型的第一区域，所述PN结为第一PN结，

所述装置还包括：

第三电容器，与所述第二电容器串联，所述第三电容器由包括所述第二导电类型的所述区域和所述第一导电类型的第二区域的第二PN结限定，

所述第一导电类型的所述第二区域被配置为耦接至具有不同于所述第一电压且不同于所述第二电压的第三电压的第三节点。

6.根据权利要求1所述的装置，其中，所述第一导电类型的所述区域为所述第一导电类型的第一区域，所述PN结为第一PN结，

所述装置还包括：

第三电容器，与所述第二电容器串联，所述第三电容器由包括所述第二导电类型的所述区域和所述第一导电类型的第二区域的第二PN结限定，所述第一导电类型的所述第二区域被配置为耦接至地电压的接地节点，所述第一电压小于所述地电压并且所述第二电压大于所述地电压。

7.根据权利要求1所述的装置，其中，所述第一导电类型的所述区域为P型阱区，所述第二导电类型的所述区域为N型埋入层。

8.根据权利要求1所述的装置，还包括：

电压源；以及

多晶硅偏置电阻器，设置在介于所述电压源与所述第一导电类型的所述区域之间的电通路中。

9.一种用于降低信号端口的电容的装置，包括：

具有第一导电类型的衬底，所述衬底耦接至被配置为具有第一电压的第一节点；

第二导电类型的掺杂区，设置在所述衬底上；

所述第一导电类型的掺杂区，设置在所述第二导电类型的所述掺杂区上并耦接至第二节点，所述第二节点被配置为具有小于所述第一电压的第二电压以增大所述第一导电类型的掺杂区与所述第二导电类型的掺杂区之间的耗尽层；

所述第二导电类型的掺杂区耦接至第三节点，所述第三节点被配置为具有大于所述第一电压的第三电压以增大所述第二导电类型的掺杂区与所述衬底之间的耗尽层；

多个电介质层，设置在所述第一导电类型的所述掺杂区上；以及

凸块金属，设置在所述多个电介质层上方。

10.根据权利要求9所述的装置，其中，所述凸块金属具有的表面面积小于所述第一导电类型的所述掺杂区的表面面积。

11.根据权利要求9所述的装置，其中，所述多个电介质层包括浅沟槽隔离层，

所述装置还包括：

接触层，围绕所述浅沟槽隔离层的至少一部分，所述浅沟槽隔离层具有的表面面积等于所述凸块金属的表面面积。