[发明专利]与降低信号端口的电容有关的方法和装置

说明书

本发明公开了与降低信号端口的电容有关的方法和装置。在一个总体方面，该装置包括由设置在凸块金属和第一导电类型区域之间的电介质所限定的第一电容器，以及与第一电容器串联且由包括第一导电类型的区域和第二导电类型的区域的PN结限定的第二电容器。第一导电类型的区域可被配置为耦接至具有第一电压的第一节点，第二导电类型的区域可被配置为耦接至具有不同于第一电压的第二电压的第二节点。

技术领域

本说明书涉及降低计算组件的信号端口的电容。

背景技术

计算组件的信号端口可能会有使经由信号端口传送的信号（例如，数字信号、模拟信号）降级的电容。信号端口可包括（例如）输入/输出(I/O)端口。例如，计算组件的输入端口可能会有使经由输入端口传送的相对高速的信号（例如，大于1千兆赫(GHz)的信号）降级的输入电容。该电容可至少部分地归因于与输入端口相关的金属触点（例如，凸块金属）的尺寸（例如，表面面积）。因此，需要解决现有技术的缺点并为降低输入电容提供其他新颖和创新的特征的系统、方法和装置。

发明内容

在一个总体方面，一种装置，包括：由设置在凸块金属与第一导电类型的区域之间的电介质限定的第一电容器，以及与第一电容器串联且由包括第一导电类型的区域和第二导电类型的区域的PN结限定的第二电容器。第一导电类型的区域可被配置为耦接至具有第一电压的第一节点，第二导电类型的区域可被配置为耦接至具有不同于第一电压的第二电压的第二节点。

在附图和以下说明中阐述了一个或多个具体实施的细节。其他特征从说明和附图中以及从权利要求中将显而易见。

附图说明

图1A为计算组件的信号端口的至少一部分的侧剖视图的示意图。

图1B为图1A所示的信号端口部分的电路示意图。

图2为示出了凸块金属的面积与信号频率之间的关系的曲线图。

图3为计算组件的另一个信号端口部分的侧剖视图的示意图。

图4A为计算组件的又一个信号端口部分的侧剖视图的示意图。

图4B为示出了图4A所示的信号端口部分的顶视图的示意图。

图5为示出了与根据本文所述的实施例配置的信号端口部分相关的电容曲线的曲线图。

具体实施方式

图1A为计算组件的信号端口的至少一部分的侧剖视图的示意图。信号端口的该部分可称为信号端口部分100。在一些实施例中，信号端口部分100可包含在计算组件的输入端口和/或计算组件的输出端口中。计算组件可包含在集成电路中，或可为集成电路的一部分，和/或可包含在分立半导体器件中。

如图1A所示，信号端口部分100具有设置在凸块金属110与区域130（也可称为半导体区域）之间的电介质120，使得凸块金属110设置在电介质120上（并且电介质120设置在凸块金属110下方）并使得电介质120设置在区域130上（并且区域130设置在电介质120下方）。区域140（也可称为半导体区域）设置在区域130与区域150（也可称为半导体区域）之间，使得区域130设置在区域140上（并且区域140设置在区域130下方）并使得区域140设置在区域150上（并且区域150设置在区域140下方）。在本实施例中，信号端口部分100被取向为使得凸块金属110朝着信号端口部分100的顶部，并且区域150朝着信号端口部分100的底部。在一些实施例中，信号端口部分100的顶部与信号端口部分100的底部之间的方向可称为垂直方向，与该垂直方向大致正交的方向可称为水平方向或横向方向。在一些实施例中，电介质120可称为电介质区。