[发明专利]半导体装置有效
| 申请号： | 201410061644.1 | 申请日： | 2014-02-24 |
| 公开（公告）号： | CN104425582B | 公开（公告）日： | 2017-09-29 |
| 发明（设计）人： | 三须伸一郎;中村和敏 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/08;H01L29/10 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司72002 | 代理人： | 徐殿军 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
1.一种半导体装置，其特征在于，
具备：
第1导电型的第1基底层；
第2导电型的第2基底层，设在上述第1基底层上；
第1导电型的第1半导体层，设在上述第2基底层的与上述第1基底层相反的一侧；
第2导电型的第2半导体层，设在上述第1基底层的与上述第2基底层相反的一侧；
多个第1电极，隔着第1绝缘膜设在上述第1半导体层及上述第2基底层中；
第2电极，在相邻的上述第1电极之间，隔着第2绝缘膜设在上述第1半导体层及上述第2基底层中；
集电极电极，与上述第2半导体层电连接；以及
发射极电极，与上述第1半导体层以及上述第2电极电连接，
上述第2电极是与上述第1半导体层大致相等的电压，
上述第2绝缘膜的膜厚比上述第1绝缘膜的膜厚薄。
2.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，
上述第2电极侧的上述第1基底层的第1导电型杂质的浓度比上述第1电极侧的上述第1基底层的第1导电型杂质的浓度小。
3.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，
还具备设在上述第2电极侧的上述第1基底层与上述第2绝缘膜之间的第2导电型的漂移扩散层。
4.如权利要求3所述的半导体装置，其特征在于，
上述漂移扩散层被设置到比上述第2电极的底部深的位置。
5.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，还具备：
第1导电型的第1阻挡层，设在上述第1基底层与上述第2基底层之间；以及
第1导电型的第2阻挡层，设在上述第1基底层与上述第2半导体层之间。
6.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，
设在上述第1基底层与上述第2电极之间的第2绝缘膜的膜厚比设在上述第1基底层与上述第1电极之间的第1绝缘膜的膜厚薄。
7.一种半导体装置，其特征在于，
具备：
第1导电型的第1基底层；
第2导电型的第2基底层，设在上述第1基底层上；
第1导电型的第1半导体层，设在上述第2基底层的与上述第1基底层相反的一侧；
第2导电型的第2半导体层，设在上述第1基底层的与上述第2基底层相反的一侧；
多个第1电极，隔着第1绝缘膜设在上述第1半导体层及上述第2基底层中；
第2电极，在相邻的上述第1电极之间，隔着第2绝缘膜设在上述第1半导体层及上述第2基底层中；
集电极电极，与上述第2半导体层电连接；以及
发射极电极，与上述第1半导体层以及上述第2电极电连接，
上述第2电极是与上述第1半导体层大致相等的电压，
上述第2电极侧的上述第1基底层的第1导电型杂质的浓度比上述第1电极侧的上述第1基底层的第1导电型杂质的浓度小。
8.如权利要求7所述的半导体装置，其特征在于，还具备：
第1导电型的第1阻挡层，设在上述第1基底层与上述第2基底层之间；以及
第1导电型的第2阻挡层，设在上述第1基底层与上述第2半导体层之间。
9.一种半导体装置，其特征在于，
具备：
第1导电型的第1基底层；
第2导电型的第2基底层，设在上述第1基底层上；
第1导电型的第1半导体层，设在上述第2基底层的与上述第1基底层相反的一侧；
第2导电型的第2半导体层，设在上述第1基底层的与上述第2基底层相反的一侧；
第1电极，隔着第1绝缘膜设在上述第1半导体层及上述第2基底层中；
第2电极，在相邻的上述第1电极之间，隔着第2绝缘膜设在上述第1半导体层及上述第2基底层中；
集电极电极，与上述第2半导体层电连接；
发射极电极，与上述第1半导体层以及上述第2电极电连接；以及
第2导电型的漂移扩散层，设在上述第2电极侧的上述第1基底层与上述第2绝缘膜之间，
上述第2电极是与上述第1半导体层大致相等的电压。
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