[发明专利]固体摄像装置以及固体摄像装置的制造方法在审
申请号: | 201410063255.2 | 申请日: | 2014-02-25 |
公开(公告)号: | CN104347650A | 公开(公告)日: | 2015-02-11 |
发明(设计)人: | 成濑纯次;田中长孝 | 申请(专利权)人: | 株式会社东芝 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人: | 徐冰冰;刘杰 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 固体 摄像 装置 以及 制造 方法 | ||
1.一种固体摄像装置,具备:
光电转换元件,与多个色光的各个对应地设置;
第一反射防止膜,设置于所述光电转换元件的受光面侧;
中间膜,设置于所述第一反射防止膜的受光面侧;以及
第二反射防止膜,设置于所述中间膜的受光面侧,
所述第一反射防止膜、所述中间膜以及所述第二反射防止膜中的至少一个针对受光的每个色光而膜厚不同。
2.如权利要求1所述的固体摄像装置,其中,
所述第一反射防止膜、所述中间膜以及所述第二反射防止膜中的至少一个形成为,在受光的色光的波长越长的区域膜厚越厚。
3.如权利要求1所述的固体摄像装置,其中,
所述光电转换元件至少与红色光、绿色光以及蓝色光的各个对应地设置,所述第一反射防止膜、所述中间膜以及所述第二反射防止膜中的至少一个形成为,受光红色光的区域厚于受光绿色光的区域,受光绿色光的区域厚于受光蓝色光的区域。
4.如权利要求1所述的固体摄像装置,其中,
所述第二反射防止膜是氮化硅膜。
5.如权利要求1所述的固体摄像装置,其中,
所述中间膜是氧化硅膜。
6.一种固体摄像装置,具备:
光电转换元件,与多个色光的各个对应地设置;
第一反射防止膜,设置于所述光电转换元件的受光面侧;
中间膜,设置于所述第一反射防止膜的受光面侧;以及
第二反射防止膜,设置于所述中间膜的受光面侧,
所述第二反射防止膜设置于除了受光所述多个色光中的预定的色光的区域之外的区域。
7.如权利要求6所述的固体摄像装置,其中,
所述第二反射防止膜设置于除了受光所述多个色光中的波长最短的色光的区域之外的区域。
8.如权利要求6所述的固体摄像装置,其中,
所述光电转换元件至少与红色光、绿色光以及蓝色光的各个对应地设置,所述第二反射防止膜设置于至少除了受光所述蓝色光的区域之外的区域。
9.如权利要求6所述的固体摄像装置,其中,
所述光电转换元件至少与红色光、绿色光以及蓝色光的各个对应地设置,所述第二反射防止膜设置于至少除了受光所述红色光的区域之外的区域。
10.如权利要求6所述的固体摄像装置,其中,
所述光电转换元件至少与红色光、绿色光以及蓝色光的各个对应地设置,所述第二反射防止膜设置于至少除了受光所述绿色光的区域之外的区域。
11.如权利要求6所述的固体摄像装置,其中,
所述第二反射防止膜是氮化硅膜。
12.如权利要求6所述的固体摄像装置,其中,
所述中间膜是氧化硅膜。
13.一种固体摄像装置的制造方法,包括:
与多个色光的各个对应地形成光电转换元件,
在所述光电转换元件的受光面侧形成第一反射防止膜,
在所述第一反射防止膜的受光面侧形成中间膜,
在所述中间膜的受光面侧形成第二反射防止膜,
将所述第一反射防止膜、所述中间膜以及所述第二反射防止膜中的至少一个形成为针对受光的每个色光而膜厚不同。
14.如权利要求13所述的固体摄像装置的制造方法,包括:
将所述第一反射防止膜、所述中间膜以及所述第二反射防止膜中的至少一个形成为,在受光的色光的波长越长的区域膜厚越厚。
15.如权利要求13所述的固体摄像装置的制造方法,包括:
将所述光电转换元件至少与红色光、绿色光以及蓝色光的各个对应地形成,将所述第一反射防止膜、所述中间膜以及所述第二反射防止膜中的至少一个形成为,受光绿色光的区域比受光红色光的区域薄,且受光蓝色光的区域比受光绿色光的区域薄。
16.如权利要求13所述的固体摄像装置的制造方法,包括:
利用氮化硅膜形成所述第二反射防止膜。
17.如权利要求13所述的固体摄像装置的制造方法,包括:
利用氧化硅膜形成所述中间膜。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的