[发明专利]固体摄像装置以及固体摄像装置的制造方法在审
申请号: | 201410063255.2 | 申请日: | 2014-02-25 |
公开(公告)号: | CN104347650A | 公开(公告)日: | 2015-02-11 |
发明(设计)人: | 成濑纯次;田中长孝 | 申请(专利权)人: | 株式会社东芝 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人: | 徐冰冰;刘杰 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 固体 摄像 装置 以及 制造 方法 | ||
技术领域
本发明的实施方式涉及固体摄像装置以及固体摄像装置的制造方法。
背景技术
以往,固体摄像装置具备与摄像图像的各像素对应设置的多个光电转换元件。各光电转换元件将入射光光电转换成与受光强度相应的量的电荷并存储于电荷存储区域。并且,在固体摄像装置中,通过从各光电转换元件的电荷存储区域读出电荷来进行摄像。
在这种固体摄像装置中,各光电转换元件的微细化在进展,与此相伴,存在各光电转换元件的受光面积缩小的倾向。因此,为了利用被限定的受光面积取入更多的光,优选提高光电转换元件的受光效率。
发明内容
本发明要解决的课题在于提供一种能够提高光电转换元件的受光效率的固体摄像装置以及固体摄像装置的制造方法。
一个实施方式的固体摄像装置的特征为,具备:光电转换元件,与多个色光的各个对应地设置;第一反射防止膜,设置于上述光电转换元件的受光面侧;中间膜,设置于上述第一反射防止膜的受光面侧;以及第二反射防止膜,设置于上述中间膜的受光面侧,上述第一反射防止膜、上述中间膜以及上述第二反射防止膜中的至少一个针对受光的每个色光而膜厚不同。
另一实施方式的固体摄像装置的特征为,具备:光电转换元件,与多个色光的各个对应地设置;第一反射防止膜,设置于上述光电转换元件的受光面侧;中间膜,设置于上述第一反射防止膜的受光面侧;以及第二反射防止膜,设置于上述中间膜的受光面侧,上述第二反射防止膜设置于除了受光上述多个色光中的预定的色光的区域之外的区域。
再一实施方式的固体像装置的制造方法的特征为,包括:与多个色光的各个对应地形成光电转换元件,在上述光电转换元件的受光面侧形成第一反射防止膜,在上述第一反射防止膜的受光面侧形成中间膜,在上述中间膜的受光面侧形成第二反射防止膜,将上述第一反射防止膜、上述中间膜以及上述第二反射防止膜中的至少一个形成为针对受光的每个色光而膜厚不同。
发明效果
根据上述结构的固体摄像装置以及固体摄像装置的制造方法,能够提高光电转换元件的受光效率。
附图说明
图1是示出具备第一实施方式所涉及的固体摄像装置的数码照相机的概要结构的框图。
图2是示出第一实施方式所涉及的固体摄像装置的概要结构的框图。
图3是示出第一实施方式所涉及的像素阵列的结构的概略俯视图。
图4是第一实施方式所涉及的像素阵列的概略剖面图。
图5是示出第一实施方式所涉及的光电转换元件所受光的色光的波长与硅界面处的色光的透射率的关系的实验结果的图表。
图6A是示出第一实施方式所涉及的固体摄像装置的制造工序的剖面示意图。
图6B是示出第一实施方式所涉及的固体摄像装置的制造工序的剖面示意图。
图6C是示出第一实施方式所涉及的固体摄像装置的制造工序的剖面示意图。
图6D是示出第一实施方式所涉及的固体摄像装置的制造工序的剖面示意图。
图7是第二实施方式所涉及的像素阵列的概略剖面图。
图8是第三实施方式所涉及的像素阵列的概略剖面图。
标记说明
1数码照相机、11照相机模块、14固体摄像装置、20图像传感器、23像素阵列、31半导体基板、32光电转换元件、33绝缘膜、34第一反射防止膜、35中间膜、36第二反射防止膜、37多层配线层、38R、38G、38B滤色器、39:微透镜
具体实施方式
以下,参照附图对实施方式所涉及的固体摄像装置以及固体摄像装置的制造方法进行详细说明。另外,本发明并不受到这些实施方式限定。
(第一实施方式)
图1是示出具备第一实施方式所涉及的固体摄像装置14的数码照相机1的概要结构的框图。如图1所示,数码照相机1具备照相机模块11和后级处理部12。
照相机模块11具备摄像光学系统13和固体摄像装置14。摄像光学系统13取入来自被摄体的光,而成像被摄体像。固体摄像装置14对由摄像光学系统13成像的被摄体像进行摄像,并将通过摄像而获得的图像信号朝后级处理部12输出。这种照相机模块11除了应用于数码照相机1以外,例如还可以应用于带照相机的便携式终端等的电子设备。
后级处理部12具备ISP(Image Signal Processor)15、存储部16以及显示部17。ISP15进行从固体摄像装置14输入的图像信号的信号处理。这种ISP15例如进行噪音除去处理、缺陷像素校正处理、析像度转换处理等的高画质化处理。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的