[发明专利]薄膜晶体管阵列基板及其制造方法

权利要求书

1.一种薄膜晶体管阵列基板的制造方法，其特征在于，该方法包括以下步骤：

S1，在基板主体(210)上形成薄膜晶体管，使用绝缘材料形成覆盖所述基板主体(210)与所述薄膜晶体管的保护层(220)，使用有机光阻材料在所述保护层(220)表面形成平坦化层(230)；

S2，将所述平坦化层(230)划分为显示区(231)与移除区(232)，对所述显示区(231)的选定区域进行完全曝光，对整个所述移除区(232)进行不完全曝光；

S3，进行光阻显影，在所述显示区(231)的所述选定区域形成连通孔(250)，同时使所述移除区(232)被部分地移除而在所述保护层(220)上形成厚度比所述平坦化层(230)薄的遮蔽层(232a)；

S4，在所述保护层(220)上形成和所述连通孔(250)相通，用于引出所述薄膜晶体管的配线的引线孔(260)；

S5，形成所述引线孔(260)后，将所述遮蔽层(232a)移除，使所述保护层(220)部分地暴露出来形成粘合区(220a)，然后在所述粘合区(220a)上涂上框胶；

其中，所述步骤S1中，在所述基板主体(210)上形成薄膜晶体管的操作包括以下子步骤：

S11，在所述基板主体(210)的表面上形成薄膜晶体管的栅极(211)；

S12，形成将所述基板主体(210)与所述栅极(211)一同覆盖的绝缘层(212)；

S13，采用半导体材料在所述绝缘层(212)的表面上形成用作所述薄膜晶体管的通道区的半导体层(213)；

S14，在所述半导体层(213)上形成所述薄膜晶体管的漏极(214)和源极(215)。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述步骤S2包括以下子步骤：

S21，提供光罩(24)，所述光罩(24)为灰阶光罩或半透膜光罩，包括不透光的遮光区(240)与允许光线部分地透过的半透光区(242)，且所述遮光区(240)开设有位置对准所述显示区(231)的所述选定区域的开孔(241)；使用所述遮光区(240)遮住所述显示区(231)，使用所述半透光区(242)遮住所述移除区(232)；

S22，对所述遮光区(240)与所述半透光区(242)的表面同时进行曝光，使所述显示区(231)的所述选定区域在穿过所述开孔(241)的曝光光线的照射下受到完全曝光，而整个所述移除区(232)在部分地透过所述半透光区(242)的曝光光线照射下受到不完全曝光。

3.如权利要求1所述的方法，其特征在于：所述步骤S4中，形成所述引线孔(260)的方法为干式蚀刻。

4.如权利要求3所述的方法，其特征在于：所述步骤S4中，采用的蚀刻反应气体为氯气或六氟化硫。

5.如权利要求1所述的方法，其特征在于：所述步骤S5中，将所述遮蔽层(232a)移除的方法为灰化处理。

6.如权利要求1所述的方法，其特征在于：所述步骤S3中形成的所述连通孔(250)和所述步骤S4中形成的所述引线孔(260)均对准所述漏极(214)或源极(215)，使所述漏极(214)或源极(215)通过所述引线孔(260)部分地暴露出来。

7.如权利要求1所述的方法，其特征在于：所述子步骤S12中，形成所述绝缘层(212)的方法为化学气相沉积法。

8.如权利要求1所述的方法，其特征在于：所述步骤S1中，形成所述保护层(220)的方法为化学气相沉积法。

9.一种基于权利要求1所述的方法制造的薄膜晶体管阵列基板，包括基板主体(210)、形成在所述基板主体(210)表面上的薄膜晶体管、使用绝缘材料形成的覆盖所述基板主体(210)与所述薄膜晶体管的保护层(220)、以及使用有机光阻材料形成在所述保护层(220)的一部分表面上的平坦化层(230)；其特征在于：

所述平坦化层(230)划分为显示区(231)与移除区(232)，对所述显示区(231)的选定区域进行完全曝光，对整个所述移除区(232)进行不完全曝光；

在所述显示区(231)的所述选定区域形成连通孔(250)，所述保护层(220)上形成和所述连通孔(250)相通、用于引出所述薄膜晶体管的配线的引线孔(260)，与所述移除区(232)相对应位置的所述保护层(220)部分地暴露出来形成粘合区(220a)，在所述粘合区(220a)涂设有框胶，形成与所述平坦化层(230)相邻的框胶层(280)。