[发明专利]具有SiGeSn源漏的鳍式场效应晶体管及其形成方法

权利要求书

1.一种具有SiGeSn源漏的鳍式场效应晶体管的形成方法，其特征在于，包括以下步骤：

提供衬底；

在所述衬底之上形成SiGe鳍形结构；

在所述SiGe鳍形结构之上形成栅堆叠或假栅；

在所述栅堆叠或假栅两侧形成源区和漏区的开口，在所述开口位置露出所述SiGe鳍形结构；

向所述SiGe鳍形结构注入含有Sn元素的原子、分子、离子或等离子体，以在所述开口位置形成SiGeSn层。

2.如权利要求1所述的具有SiGeSn源漏的鳍式场效应晶体管的形成方法，其特征在于，还包括：

在形成所述源区和漏区的开口之前，在所述栅堆叠或假栅两侧形成栅侧墙。

3.如权利要求1或2所述的具有SiGeSn源漏的鳍式场效应晶体管的形成方法，其特征在于，还包括：

在形成所述SiGeSn层之后，去除所述假栅，在所述假栅区域形成栅堆叠。

4.如权利要求1-3任一项所述的具有SiGeSn源漏的鳍式场效应晶体管的形成方法，其特征在于，所述衬底为Si衬底、Ge衬底、绝缘体上Si衬底、绝缘体上Ge衬底、绝缘体上SiGe衬底、具有SiGe表面的Si衬底或Ge衬底。

5.如权利要求1-3任一项所述的具有SiGeSn源漏的鳍式场效应晶体管的形成方法，其特征在于，通过选择性外延工艺在所述衬底之上形成所述SiGe鳍形结构。

6.如权利要求1-3任一项所述的具有SiGeSn源漏的鳍式场效应晶体管的形成方法，其特征在于，通过光刻和刻蚀工艺在所述衬底之上形成所述SiGe鳍形结构，其中，所述衬底表层为SiGe材料。

7.如权利要求6所述的具有SiGeSn源漏的鳍式场效应晶体管的形成方法，其特征在于，所述表层为SiGe材料的衬底为绝缘体上SiGe衬底、具有SiGe表面的Si衬底或Ge衬底。

8.如权利要求1-3任一项所述的具有SiGeSn源漏的鳍式场效应晶体管的形成方法，其特征在于，所述注入的方法包括离子注入。

9.如权利要求8所述的具有SiGeSn源漏的鳍式场效应晶体管的形成方法，其特征在于，所述离子注入包括等离子体源离子注入和等离子体浸没离子注入。

10.如权利要求1-3任一项所述的具有SiGeSn源漏的鳍式场效应晶体管的形成方法，其特征在于，所述注入的方法包括磁控溅射。

11.如权利要求10所述的具有SiGeSn源漏的鳍式场效应晶体管的形成方法，其特征在于，采用所述磁控溅射注入的过程中，在所述衬底上加载负偏压。

12.如权利要求10或11所述的具有SiGeSn源漏的鳍式场效应晶体管的形成方法，其特征在于，还包括，去除所述磁控溅射在所述SiGeSn层之上形成的Sn薄膜。

13.如权利要求12所述的具有SiGeSn源漏的鳍式场效应晶体管的形成方法，其特征在于，利用对SiGeSn和Sn具有高腐蚀选择比的溶液清洗以去除所述Sn薄膜。

14.如权利要求1-3任一项所述的具有SiGeSn源漏的鳍式场效应晶体管的形成方法，其特征在于，所述注入的过程中对所述衬底加热，加热温度为100-600℃。

15.如权利要求1-3任一项所述的具有SiGeSn源漏的鳍式场效应晶体管的形成方法，其特征在于，还包括，在所述注入之后，对所述SiGeSn层退火，退火温度为100-600℃。

16.如权利要求1-3任一项所述的具有SiGeSn源漏的鳍式场效应晶体管的形成方法，其特征在于，所述SiGeSn层为应变SiGeSn层。

17.如权利要求16所述的具有SiGeSn源漏的鳍式场效应晶体管的形成方法，其特征在于，所述应变SiGeSn层的厚度为0.5-100nm。

18.如权利要求16所述的具有SiGeSn源漏的鳍式场效应晶体管的形成方法，其特征在于，所述应变SiGeSn层中Sn的原子百分含量小于20%。

19.一种具有SiGeSn源漏的鳍式场效应晶体管，其特征在于，包括：

衬底；

形成在衬底之上的SiGe鳍形沟道区；

形成在所述SiGe鳍形沟道区之上的栅堆叠结构；以及

形成在所述SiGe鳍形沟道区两侧的SiGeSn源和漏。