[发明专利]一种晶圆级封装方法及封装结构

权利要求书

1.一种晶圆级封装方法，包含：

提供一第一晶圆，其包含一表面，其中一介电层及一第一导电柱于该表面上，且该第一导电柱穿透该介电层；

切割该第一晶圆而形成一第一晶片；

形成一贯穿孔于一中介层，其中该中介层的厚度不大于该第一导电柱的长度；

设置该第一导电柱于该贯穿孔；

覆盖一封装层于该第一晶片及部份的中介层上；

涂布一第一电绝缘层于该中介层的一表面上；

形成一线路重布层于该第一电绝缘层上，其中该线路重布层电性连接该第一导电柱；以及

设置一锡球于该线路重布层上。

2.根据权利要求1所述的封装方法，进一步包含步骤：涂布一第二电绝缘层于该线路重布层及该第一电绝缘层上。

3.根据权利要求1所述的封装方法，其中该贯穿孔形成步骤包含对齐该贯穿孔于该第一导电柱的步骤。

4.根据权利要求1所述的封装方法，进一步包含步骤：

提供一第二晶圆，其包含一上表面，其中一电隔离层及一第二导电柱于该上表面上，且该第二导电柱穿透该电隔离层。

5.根据权利要求4所述的封装方法，进一步包含步骤：切割该第二晶圆而形成一第二晶片。

6.根据权利要求5所述的封装方法，其中该第一晶圆包含一底面，而该第二晶圆包含一下表面，于封装层覆盖步骤中另包含覆盖该封装层于该底面及该下表面上的步骤。

7.根据权利要求6所述的封装方法，其中该介电层的厚度等于该电隔离层的厚度。

8.根据权利要求4所述的封装方法，进一步包含步骤：设置该电隔离层及该介电层于该中介层的另一面上。

9.根据权利要求4所述的封装方法，进一步包含步骤：设置该第二导电柱于该贯穿孔。

10.根据权利要求5所述的封装方法，进一步包含步骤：覆盖一封装层于该第二晶片及部份的中介层上。

11.根据权利要求4所述的封装方法，其中该线路重布层形成步骤包含电性连接该线路重布层于该第二导电柱的步骤。

12.一种晶圆级封装结构，包含：

一第一晶片，包含一表面，其中一介电层及一第一导电柱设置于该表面上，且该第一导电柱穿透该介电层；

一中介层具有至少一贯穿孔，其中该中介层的厚度不大于该第一导电柱的长度；

该第一晶片设置于该中介层上，使该第一导电柱设置于该贯穿孔中；

一封装层覆盖于该第一晶片及部份的中介层上；

一第一电绝缘层设置于该中介层的一表面上；

一线路重布层设置于该第一电绝缘层上，其中该线路重布层电性连接该第一导电柱；以及

一锡球连接于该线路重布层上。