[发明专利]一种晶圆级封装方法及封装结构

说明书

技术领域

本发明涉及一种封装方法及封装结构，更具体地说，涉及一种晶圆级封装方法及封装结构。 

技术背景

目前的硅中介层主要为运用硅穿孔(TSV)技术及铜电镀制程来形成导通硅中介层的上层与硅中介层的下层的介面。由于硅穿孔(TSV)技术所形成的孔径较小，因此铜电镀制程很难于硅穿孔中形成导通的电路。此外，铜电镀制程完成后，还需要将硅中介层进行研磨而促进硅中介层的上层与硅中介层的下层间的电性导通，因此良率不高。且铜电镀制程中，电镀药水及机台均需重新调配及设计，而使整体成本升高。 

发明内容

本发明提供一种晶圆级封装方法及封装结构，其方法包含下列步骤： 

提供一第一晶圆，其包含一表面，其中一介电层及一第一导电柱于该表面上，且该第一导电柱穿透该介电层； 

切割该第一晶圆而形成一第一晶片； 

形成一贯穿孔于一中介层，其中该中介层的厚度不大于该第一导电柱的长度； 

设置该第一导电柱于该贯穿孔； 

覆盖一封装层于该第一晶片及部份的中介层(30)上； 

涂布一第一电绝缘层于该中介层的一表面上； 

沉积一线路重布层于该第一电绝缘层上，其中该线路重布层电性连接该第一导电柱；以及 

设置一锡球于该线路重布层上，进而完成晶圆级封装结构。 

本公开提供一种晶圆级封装结构包含一第一晶片、一中介层、一封装层、一第一电绝缘层、一线路重布层及一锡球。第一晶片包含一表面，其中一介电层及一第一导电柱设置于该表面上，且该第一导电柱穿透该介电层。中介层具有至少一贯穿孔，其中该中介层的厚度不大于该第一导电柱的长度。该第一晶片设置于该中介层上，使该第一导电柱设置于该贯穿孔中。封装层覆盖于该第一晶片及部份的中介层上。第一电绝缘层设置于该中介层的一表面上。线路重布层设置于该第一电绝缘层上，其中该线路重布层电性连接该第一导电柱以及锡球连接于该线路重布层上。 

本发明的其他目的，部分将在后续说明中陈述，而部分可由内容说明中轻易得知，或可由本发明的实施而得知。本发明的各方面将可利用后附的权利要求书中所特别指出的元件及组合而理解并达成。需了解，先述的一般说明及下列详细说明均仅作举例之用，并非用以限制本发明。 

附图说明

为了使本发明的叙述更加详尽与完备，可参照下列描述并配合下列附图，其中类似的元件符号代表类似的元件。然以下实施例中所述，仅用以说明本发明，并非用以限制本发明的范围。 

图1为根据本发明的一个实施例的第一晶圆的示意图； 

图2为根据本发明的一个实施例的第一晶圆切割后所形成的第一晶片的示意图； 

图3为根据本发明的一个实施例的第二晶圆的示意图； 

图4为根据本发明的一个实施例的第二晶圆切割后所形成的第二晶片的示意图； 

图5为根据本发明的一个实施例的形成贯穿孔于中介层的示意图； 

图6为根据本发明的一个实施例的第一晶片及第二晶片设置于中介层上的示意图； 

图7为根据本发明的一个实施例的覆盖封装层于中介层上的示意图； 

图8为根据本发明的一个实施例的涂布第一电绝缘层于中介层上的示意图； 

图9为根据本发明的一个实施例的沉积线路重布层于电绝缘层上的示意图； 

图10为根据本发明的一个实施例的涂布第二电绝缘层于中介层上的示意图；以及 

图11为根据本发明的一个实施例的设置锡球于线路重布层上的示意图。 

具体实施方式

本发明的晶圆级封装方法及封装结构包含下列所述的各个附图的步骤，然而并不限于此，亦可因应不同的设计而省略或修正特定步骤。 

如图1所示，提供一第一晶圆10。第一晶圆10包含一表面11。至少一第一导电柱14形成于晶圆10表面11上。此外，一介电层13形成于表面11，但不覆盖第一导电柱14。换言之，第一导电柱14穿透介电层13。如图1所示，至少一第一导电柱14设置于表面11上。在此说明书及权利要求书中的名词“上”包含第一物件直接或间接地 设置于第二物件的上方。例如，至少一第一导电柱14设置于表面11上就包含，第一导电柱14“直接”设置于表面11上及第一导电柱14“间接”设置于表面11上，两种意义。此处的“间接”是指两个物件在某一方位的垂直方向中具有上与下的关系，且两者中间仍有其他物体、物质或间隔将两者隔开。