[发明专利]半导体发光元件有效
申请号: | 201410064813.7 | 申请日: | 2014-02-25 |
公开(公告)号: | CN104022202B | 公开(公告)日: | 2017-04-12 |
发明(设计)人: | 松村拓明 | 申请(专利权)人: | 日亚化学工业株式会社 |
主分类号: | H01L33/38 | 分类号: | H01L33/38 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司11021 | 代理人: | 雒运朴 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 发光 元件 | ||
1.一种半导体发光元件,其具备:
半导体层叠体,其从上表面侧朝向下表面侧依次层叠第一半导体层、活性层及第二半导体层而成;
第一电极,其具有将所述第二半导体层及所述活性层贯通的多个突出部,并经由所述突出部而与所述第一半导体层连接;
第二电极,其在所述第二半导体层的下表面处与所述第二半导体层连接;
绝缘膜,其设置在所述突出部与所述半导体层叠体之间,
所述半导体发光元件的特征在于,
所述突出部具有:由所述绝缘膜覆盖的突出主体部;上表面和侧面在所述突出主体部上从所述绝缘膜露出的突出前端部,
所述第一半导体层在所述第一半导体层的上表面具有隔着位于所述突出部之上的第一区域而设置的凹部,所述凹部之间的距离大于所述突出前端部的宽度。
2.根据权利要求1所述的半导体发光元件,其特征在于,
所述突出前端部的上表面的面积比底面的面积小。
3.根据权利要求1或2所述的半导体发光元件,其特征在于,
所述突出前端部与所述突出主体部的材料不同。
4.根据权利要求1~3中任一项所述的半导体发光元件,其特征在于,
所述突出前端部包含Ag、Al、Ti中的至少1种。
5.根据权利要求1~4中任一项所述的半导体发光元件,其特征在于,
所述凹部在与所述突出部之间对应的区域形成多个。
6.根据权利要求1~5中任一项所述的半导体发光元件,其特征在于,
所述第一半导体层具有粗糙面部,该粗糙面部形成在包含所述凹部的底部的所述第一半导体层的上表面,由比所述凹部小的凹凸构成。
7.根据权利要求1~6中任一项所述的半导体发光元件,其特征在于,
所述突出部在俯视观察下沿行列方向排列。
8.根据权利要求1~7中任一项所述的半导体发光元件,其特征在于,
所述突出部在俯视观察下为椭圆形形状。
9.根据权利要求1~6中任一项所述的半导体发光元件,其特征在于,
所述突出部在俯视观察下沿行方向或列方向呈线状地形成。
10.根据权利要求1~9中任一项所述的半导体发光元件,其特征在于,
在所述第一电极的下部具备对所述半导体层叠体进行支承的基板。
11.一种半导体发光元件,其包括:
半导体层叠体,其包括第一半导体层、第二半导体层及所述第一半导体层与所述第二半导体层之间的活性层,且该半导体层叠体具有包含所述第一半导体层的表面的上表面和包含所述第二半导体层的表面的下表面;
第一电极,其具有将所述第二半导体层及所述活性层贯通的多个突出部,并经由所述突出部而与所述第一半导体层连接;
第二电极,其在所述下表面处与所述第二半导体层连接;
多个凹部,其在所述上表面中的除了分别位于所述突出部上的第一区域之外的第二区域以比所述第一区域的最小宽度窄的间隔形成。
12.根据权利要求11所述的半导体发光元件,其中,
所述凹部以与所述第一区域的外周不相接的方式与所述外周分离地形成。
13.根据权利要求11或12所述的半导体发光元件,其中,
在所述突出部与所述活性层及所述第二半导体层之间具有绝缘膜,
所述突出部分别具有:由所述绝缘膜覆盖的突出主体部;上表面和侧面在所述突出主体部上从所述绝缘膜露出的突出前端部。
14.根据权利要求11~13中任一项所述的半导体发光元件,其中,
利用将所述凹部分隔的隔壁将所述第一区域之间分别连接。
15.根据权利要求14所述的半导体发光元件,其中,
所述第一区域以其中心与矩形格子的格子点一致的方式设置,所述隔壁包括:沿着所述矩形格子的对角方向的一方的方向形成的第一隔壁;沿着所述矩形格子的对角方向的另一方的方向形成的第二隔壁。
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