[发明专利]半导体发光元件

说明书

技术领域

本发明涉及半导体发光元件。

背景技术

以往，作为LED等的具备多个半导体层的半导体发光元件，提出有专利文献1～3所示的发明。例如，在专利文献1中，提出有一种将第一半导体层(第一导电型半导体层)的上表面蚀刻至规定深度来设置粗糙面部，由此提高光的取出效率的发明。

另外，在专利文献2中，提出有一种设置将第二半导体层(p型层)、活性层及第一半导体层(n型层)贯通的格子框状的辅助电极，通过将该辅助电极与n焊盘电极连接，而使电流顺畅地向n焊盘电极流入的发明。并且，在专利文献3中，提出有一种使第一半导体层的上表面的、第一电极与第一半导体层的接触面的上部的区域平坦，由此抑制第一电极的接触面与第一半导体层的上表面之间的光的反射的反复的发明。

【在先技术文献】

【专利文献】

【专利文献1】日本特开2011-54967号公报

【专利文献2】日本特开2011-216524号公报

【专利文献3】日本特开2012-195321号公报

【发明要解决的课题】

然而，专利文献1～3提出的发明存在以下的顾虑。例如，专利文献1提出的发明对第一半导体层的上表面的、电流容易集中的区域即第一电极与第一半导体层的接触部上的区域进行蚀刻。因此，专利文献1提出的发明中，所述的接触部附近的电流的流动受到阻碍而电阻上升，驱动电压可能会升高。

另外，专利文献2提出的发明通过设置格子框状的辅助电极而活性层的面积相应地减少，因此发光量减少而光的取出效率降低。并且，专利文献3提出的发明由于使第一电极与第一半导体层的接触面的上部的区域平坦，因此，在该区域，光的向层叠结构物体内部的反射增多，光的取出效率可能降低。

发明内容

本发明鉴于前述问题点而作出，课题在于提供一种能够抑制光的取出效率的降低且能够抑制电阻的上升的半导体发光元件。

【用于解决课题的手段】

为了解决前述课题，本发明的第一方案的半导体发光元件可以为下述结构：半导体发光元件具备：半导体层叠体，其从上表面侧朝向下表面侧依次层叠第一半导体层、活性层及第二半导体层而成；第一电极，其具有将所述第二半导体层及所述活性层贯通的多个突出部，并经由所述突出部而与所述第一半导体层连接；第二电极，其在所述第二半导体层的下表面处与所述第二半导体层连接；绝缘膜，其设置在所述突出部与所述半导体层叠体之间，在所述半导体发光元件中，所述突出部具有：由所述绝缘膜覆盖的突出主体部；上表面和侧面在所述突出主体部上从所述绝缘膜露出的突出前端部，所述第一半导体层在所述第一半导体层的上表面具有隔着位于所述突出部之上的第一区域而设置的凹部，所述凹部之间的距离大于所述突出前端部的宽度。

另外，本发明的第二方案的半导体发光元件可以为下述结构，该半导体发光元件包括：半导体层叠体，其包括第一半导体层、第二半导体层及所述第一半导体层与所述第二半导体层之间的活性层，且该半导体层叠体具有包含所述第一半导体层的表面的上表面和包含所述第二半导体层的表面的下表面；第一电极，其具有将所述第二半导体层及所述活性层贯通的多个突出部，并经由所述突出部而与所述第一半导体层连接；第二电极，其在所述下表面处与所述第二半导体层连接；多个凹部，其在所述上表面中的除了分别位于所述突出部上的第一区域之外的第二区域以比所述第一区域的最小宽度窄的间隔形成。

【发明效果】

根据本发明的半导体发光元件，能够抑制光的取出效率的降低并抑制电阻的上升。

附图说明

图1是表示本发明的第一实施方式的半导体发光元件的整体结构的俯视图。

图2是表示本发明的第一实施方式的半导体发光元件的整体结构的图，是图1的A-A剖视图。

图3是将本发明的第一实施方式的半导体发光元件的一部分放大的图，(a)是表示第一电极的突出部与第一半导体层的凹部的关系的俯视图，(b)是(a)所示的B-B剖视图。

图4是将本发明的第一实施方式的半导体发光元件的第一半导体层上的凹部的一部分放大的立体图。

图5的(a)～(f)是表示本发明的第一实施方式的半导体发光元件的制造方法的一部分的简图。

图6的(a)～(f)是表示本发明的第一实施方式的半导体发光元件的制造方法的一部分的简图。

图7的(a)～(f)是表示本发明的第一实施方式的半导体发光元件的制造方法的一部分的简图。