[发明专利]半导体器件及其制造方法、显示单元及电子设备制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件的制造方法，所述方法包括：

形成栅电极和布线；

用第一绝缘膜覆盖所述栅电极和所述布线；

在所述栅电极上形成半导体膜，所述第一绝缘膜在所述栅电极和所述半导体膜之间；

用第二绝缘膜覆盖所述半导体膜和所述第一绝缘膜；

通过一个步骤将所述第二绝缘膜和所述第一绝缘膜图案化，以形成连接孔和第一凹部，所述连接孔到达所述布线，并且所述第一凹部位于与所述半导体膜相邻的位置；以及

在从所述连接孔到所述第一凹部的区域中形成第一导电膜，以通过所述连接孔将所述第一导电膜电连接至所述布线，并且将所述第一导电膜埋入所述第一凹部中。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，通过一个光刻步骤将所述第二绝缘膜和所述第一绝缘膜图案化。

3.根据权利要求1所述的方法，其中，

与所述第一凹部一起形成第二凹部，所述第二凹部在所述半导体膜的沟道长度方向上与所述第一凹部成对，以及

第二导电膜埋在所述第二凹部中。

4.根据权利要求3所述的方法，其中，所述第一导电膜和所述第二导电膜电连接至所述半导体膜。

5.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一凹部形成为比所述连接孔更浅。

6.根据权利要求1所述的方法，其中，使用多灰度级掩模将所述第二绝缘膜和所述第一绝缘膜图案化。

7.根据权利要求6所述的方法，其中，使用半色调掩模作为所述多灰度级膜。

8.根据权利要求3所述的方法，其中，

与所述栅电极和所述布线一起设置电极，以及

所述电极在所述第二凹部中与所述第二导电膜相对，以形成保持电容器。

9.根据权利要求8所述的方法，其中，第一区和第二区形成在所述第二凹部中，所述第一区更靠近所述半导体膜，且所述第二区比所述第一区更深，以及

所述保持电容器形成在所述第二区中。

10.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一凹部形成在所述半导体膜的非相对区周围，所述非相对区不与所述栅电极相对。

11.根据权利要求1所述的方法，其中，先于所述第一凹部形成所述连接孔。

12.一种显示单元的制造方法，所述方法包括：

形成显示元件和被配置为驱动所述显示元件的半导体器件，形成所述显示元件和所述半导体器件包括：

形成栅电极和布线；

用第一绝缘膜覆盖所述栅电极和所述布线；

在所述栅电极上形成半导体膜，所述第一绝缘膜在所述栅电极和所述半导体膜之间；

用第二绝缘膜覆盖所述半导体膜和所述第一绝缘膜；

通过一个步骤将所述第二绝缘膜和所述第一绝缘膜图案化，以形成连接孔和第一凹部，所述连接孔到达所述布线，并且所述第一凹部位于与所述半导体膜相邻的位置；以及

在从所述连接孔到所述第一凹部的区域中形成第一导电膜，以通过所述连接孔将所述第一导电膜电连接至所述布线，并且将所述第一导电膜埋入所述第一凹部中。

13.根据权利要求12所述的方法，其中，

与所述第一凹部一起形成第二凹部，所述第二凹部在所述半导体膜的沟道长度方向上与所述第一凹部成对，以及

第二导电膜埋在所述第二凹部中。

14.一种电子设备的制造方法，所述方法包括：

形成显示单元，所述显示单元具有显示元件和被配置为驱动所述显示元件的半导体器件，所述形成所述显示单元包括：

形成栅电极和布线；

用第一绝缘膜覆盖所述栅电极和所述布线；

在所述栅电极上形成半导体膜，所述第一绝缘膜在所述栅电极和所述半导体膜之间；

用第二绝缘膜覆盖所述半导体膜和所述第一绝缘膜；

通过一个步骤将所述第二绝缘膜和所述第一绝缘膜图案化，以形成连接孔和第一凹部，所述连接孔到达所述布线，并且所述第一凹部位于与所述半导体膜相邻的位置；以及

在从所述连接孔到所述第一凹部的区域中形成第一导电膜，以通过所述连接孔将所述第一导电膜电连接至所述布线，并且将所述第一导电膜埋入所述第一凹部中。