[发明专利]半导体器件及其制造方法、显示单元及电子设备制造方法

说明书

相关申请的交叉引用

本申请要求于2013年3月4日提交的日本优先权专利申请JP2013-41728的优先权，其全部内容结合于此作为参考。 

技术领域

本技术涉及电连接至诸如信号线的布线的半导体器件、半导体器件的制造方法、显示单元的制造方法、以及使用半导体器件的制造方法的电子设备的制造方法。 

背景技术

近年来，随着显示器尺寸的增大以及其高分辨率的实现，对于作为驱动元件的TFT（薄膜晶体管）已经要求高移动性，并且已经积极开发了具有由氧化物半导体形成的TFT的半导体装置，氧化物半导体诸如锌（Zn）、铟（In）、镓（Ga）、锡（Sn）、铝（Al）、钛（Ti）中的一种的氧化物以及其混合物的氧化物（例如，日本未审查专利申请公开No.2010-182818、2010-182819、和2012-160679）。特别地，已经知道，在由Zn、In、和Ga的复合氧化物形成的TFT中，电子迁移率大，并且相比于由一般用于液晶显示器等的非晶硅（a-Si：H）形成的TFT，显示出了优异的电气特性。 

此外，由有机半导体材料制成的TFT引起了注意。有机TFT允许以低成本制造，并且具有较高的灵活性。 

发明内容

然而，上述氧化物半导体、上述有机半导体等容易受到湿气的影响，并且TFT特性因为侵入信道的湿气而改变。在使用诸如多晶硅和非晶硅的半导体材料的情况下，湿气侵入可能会影响TFT特性。为了应对这种不利，已经提出了一种其中半导体膜的侧面用源漏电极覆盖的方法，即，通过防止湿气浸入到半导体膜中来提高可靠性的方法（例如，日本未审查专利申请公开No.2010-182818和2010-182819）。 

一直希望用较简单的方法制造这种高度可靠的TFT。 

理想的是提供一种能够抑制湿气侵入到半导体中且用较简单的方法制造的半导体器件及其制造方法、显示单元的制造方法、以及电子设备的制造方法。 

根据本技术的实施例，提供了一种半导体器件的制造方法，该方法包括：形成栅电极和布线；用第一绝缘膜覆盖栅电极和布线；在栅电极上形成半导体膜，第一绝缘膜在栅电极和半导体膜之间；用第二绝缘膜覆盖半导体膜和第一绝缘膜；通过一个步骤将第二绝缘膜和第一绝缘膜图案化，以形成连接孔和第一凹部，连接孔到达布线，并且第一凹部位于与半导体膜相邻的位置；以及在从连接孔到第一凹部的区域中形成第一导电膜，以通过连接孔将第一导电膜电连接至布线，并且将第一导电膜埋入第一凹部。 

根据本技术实施例，提供了一种显示单元的制造方法，该方法包括：形成显示元件和配置为驱动显示元件的半导体器件，形成显示元件和半导体器件包括：形成栅电极和布线；用第一绝缘膜覆盖栅电极和布线；在栅电极上形成半导体膜，第一绝缘膜在栅电极和半导体膜之间；用第二绝缘膜覆盖半导体膜和第一绝缘膜；通过一个步骤将第二绝缘膜和第一绝缘膜图案化，以形成连接孔和第一凹部，连接孔到达布线，并且第一凹部位于与半导体膜相邻的位置；以及在从连接孔到第一凹部的区域中形成第一导电膜，以通过连接孔将第一导电膜电连接至布线，并且将第一导电膜埋入第一凹部。 

根据本技术实施例，提供了一种电子设备的制造方法，该方法包括：形成显示单元，显示单元具有显示元件和配置为驱动显示元件的半导体器件，形成显示单元包括：形成栅电极和布线；用第一绝缘膜覆盖栅电极和布线；在栅电极上形成半导体膜，第一绝缘膜在栅电极和半导体膜之间；用第二绝缘膜覆盖半导体膜和第一绝缘膜；通过一个步骤将第二绝缘膜和第一绝缘膜图案化，以形成连接孔和第一凹部，连接孔到达布线，并且第一凹部位于与半导体膜相邻的位置；以及在从连接孔到第一凹部的区域中 形成第一导电膜，以通过连接孔将第一导电膜电连接至布线，并且将第一导电膜埋入第一凹部。 

根据本技术实施例，提供另一种半导体器件，包括：栅电极和布线；覆盖栅电极和布线的第一绝缘膜；与栅电极相对的半导体膜，第一绝缘膜在栅电极和半导体膜之间；位于与半导体膜相邻的位置的第一凹部；连接孔，连接孔设置在第一绝缘膜中，并且连接孔到达布线；以及第一导电膜，第一导电膜通过连接孔电连接至布线，并且第一导电膜埋入第一凹部中。 

在根据本技术上述实施例的半导体器件中，第一导电膜埋在与半导体膜相对的位置第一凹部中，并且半导体膜的端部用第一导电膜覆盖。因此，抑制了湿气侵入到半导体膜中。例如使用多灰度级掩模，通过一个曝光步骤将第一凹部和连接孔一起图案化。