[发明专利]切削残余部除去装置

说明书

技术领域

本发明涉及切削残余部除去装置。

背景技术

太阳能电池、半导体的基板材料等所用的硅晶片等晶片通过对被称作铸锭的块状物进行切片将其片状化而获得。图7表示对铸锭进行切片而获得的多张晶片(以下称作晶片列60)。在获得图7所示那样的晶片列60时，首先，利用粘接剂63将铸锭固定于被称作切片基座的保持体上，利用钢丝锯对固定于切片基座50上的铸锭进行切片而成为晶片。

图8表示一般的晶片制造方法的流程。在晶片的制造中，经由图8(a)所示的粘接工序、图8(b)所示的切片工序、图8(c)所示的清洗工序、然后是剥离工序，而获得成为制品的晶片。

首先，在图8(a)所示的粘接工序中，利用粘接剂63使铸锭65粘接于切片基座50的粘接面55。

接着，在图8(b)所示的切片工序中，利用具备一对主辊210和钢丝220的钢丝锯200等的切断装置将粘贴于切片基座50的铸锭65切断为薄片状而获得晶片列60。另外，作为切断装置的钢丝锯200例如是使用多个钢丝220一次获得多张晶片的多钢丝锯或利用与铸锭65之间的放电现象进行熔融加工的线放电加工机等。此时，铸锭65的两端部成为相对于晶片具有足够的厚度的切削残余部601。

然后，在图8(c)所示的清洗工序中，利用清洗槽300中的水对固定于切片基座50的晶片列60进行清洗。使晶片列60与切片基座50及切削残余部601一起浸渍于水中，利用超声波单元310对晶片列60照射超声波或利用喷流喷嘴320对晶片列60施加水的喷流，从而对晶片列60进行清洗。

然后，在剥离工序中，将晶片从切片基座50剥离。例如，在专利文献1中公开了如下的晶片剥离方法：如图9(a)所示，使将切削残余部601和晶片列60粘接在一起的切片基座50浸渍于包含热水或药液的剥离液15中，从而使粘接剂63软化而进行剥离。根据该方法，通过粘接剂63软化，从而切削残余部601、晶片600与切片基座50的粘接力变弱，因此，能将切削残余部601和晶片600从切片基座50剥离。被剥离的切削残余部601和晶片600落下到托盘40中而被回收。

在先技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开平9-326374号公报

但是，在上述以往的晶片剥离方法中，例如，如图9(b)所示，在从切片基座50剥离的切削残余部601和晶片600落下到托盘40时，切削残余部601和晶片600接触(参照符号X)，可能会使晶片600产生裂纹(参照符号Y)或产生缺口。这是由于，切削残余部601与晶片600相比相当厚且强度也较高。即，在以往的晶片剥离方法中，存在切削残余部601与晶片600接触而产生晶片600的裂纹、缺口等的品质异常、使晶片600的生产成品率降低这样的问题。

发明内容

因此，本发明是为了解决上述课题而做成的，其目的在于抑制晶片的裂纹、缺口的品质异常的产生、进而提高晶片的生产成品率。

用于解决课题的手段

本发明的切削残余部除去装置从利用粘接剂粘接有晶片列和切削残余部的切片基座除去所述切削残余部，所述晶片列通过对铸锭进行切片而形成，所述切削残余部配备于所述铸锭的端部，所述切削残余部除去装置的特征在于，具备：槽，其储存液体；保持构件，其保持所述切片基座；保持臂，其保持所述切削残余部且使所述切屑残余部移动；第一喷嘴，其向所述晶片列中的位于与所述切削残余部相邻位置的晶片的、与所述切削残余部对置的面喷射流体；旋转机构，其保持所述切削残余部，使所述切削残余部以所述切削残余部与所述切片基座的粘接部位为轴向从所述晶片列离开的方向旋转；移动机构，其使所述切削残余部向从所述切片基座离开的方向移动。

发明效果

根据本发明，第一喷嘴喷射流体而在切削残余部与晶片列之间设置间隙，利用保持臂使切削残余部移动，从而能将切削残余部从切片基座除去。由此，在取出晶片时，能抑制晶片与切削残余部接触而产生的晶片的裂纹、缺口等的品质异常，进而能提高晶片的生产成品率。

附图说明

图1的(a)是本发明的实施方式1涉及的切削残余部除去装置的主视图，(b)是从正下方观察该切削残余部除去装置A-A面的剖视图。

图2表示该切削残余部除去装置的各工序，(a)是表示保持工序的图，(b)是表示喷射工序的图，(c)是表示旋转工序的图，(d)是表示移动工序的图。

图3的(a)是本发明的实施方式2涉及的切削残余部除去装置的主视图，(b)是从正下方观察该切削残余部除去装置A-A面的剖视图。