[发明专利]半导体装置有效
| 申请号： | 201410066514.7 | 申请日： | 2014-02-26 |
| 公开（公告）号： | CN104078434B | 公开（公告）日： | 2018-07-20 |
| 发明（设计）人： | 铃木俊秀;佐藤优 | 申请（专利权）人： | 富士通株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/485 | 分类号： | H01L23/485;H01L23/552 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 王萍;陈炜 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
1.一种半导体装置，包括：
形成在衬底上的第一电极，所述第一电极为第一电位；
形成在所述第一电极上的第二电极，所述第二电极包括传送信号的信号配线电极部分和具有规定面积的平面电极部分；
形成在所述第一电极和所述第二电极之间的第一绝缘层；
经由第二绝缘层在所述第二电极上形成的第三电极，其中，
所述第一电极的、与所述平面电极部分相对的形状被制成由至少三个狭缝形成的狭缝形状，所述狭缝的纵向方向平行于信号在所述信号配线电极部分中前进的方向以便改善频带特性，
所述平面电极部分是形成所述半导体装置中的电容的两个电容电极之一，以及
所述第三电极包括与所述平面电极部分相对的作为两个电容电极中的另一电容电极的平面电极部分。
2.如权利要求1所述的半导体装置，其中，
所述第一电极的、不与所述平面电极部分相对的形状被制成实心形状，所述实心形状的厚度是与所述平面电极部分相对的所述第一电极的厚度相同的。
3.如权利要求1所述的半导体装置，其中，
所述第一电极和所述第二电极设置在金属配线层中。
4.如权利要求1所述的半导体装置，其中，
所述第一电位是接地电位。
5.如权利要求1所述的半导体装置，其中，
由所述信号配线电极部分传送并且由所述半导体装置处理的信号是第一波长的超高频信号，以及
在所述第一电极的形状被制成与所述平面电极部分相对的狭缝形状的情况下，所述第一电极中的每个狭缝之间的间距是信号的所述第一波长的1/4或更少。
6.如权利要求1所述的半导体装置，其中，
由所述信号配线电极部分传送并且由所述半导体装置处理的信号是第一波长的超高频信号，以及
所述第一绝缘层的厚度是信号的所述第一波长的1/4或更少。
7.如权利要求1所述的半导体装置，其中，
所述平面电极部分是用于将信号输入到所述半导体装置中的输入焊盘。
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