[发明专利]半导体装置

说明书

本公开涉及一种半导体装置。根据本公开的半导体装置包括形成在衬底上的第一电极，第一电极是第一电位；以及形成在第一电极上的第二电极，第二电极包括传送信号的信号配线和具有规定面积的平面电极部分。第一电极的与平面电极部分相对应的形状被制成狭缝形状，使得狭缝的纵向方向平行于信号在平面电极部分中前进的方向。

技术领域

本文讨论的实施方式涉及半导体装置。

背景技术

近年来，处理超高频毫米波信号等的半导体装置已投入实际使用。在这种情况下，当信号（射频（RF）信号）的工作频率变高时，信号的波长变短。

除此之外，在其上安装诸如放大器的高频电路的半导体装置（半导体集成电路或LSI芯片）中，例如，当芯片（半导体衬底）厚于使用的信号波长的1/4时，在芯片的背面和正面的电路图案之间出现谐振模式。

换句话说，在放大电路的情况下，已知由于引起诸如振荡的问题的谐振，输出信号被反馈到输入端。即使振荡不出现，也可能会出现问题，例如，频带特性在谐振频率处劣化。

如上所述，例如，在包括放大电路的半导体装置中，由于引起振荡或频带特性劣化等的谐振，输出信号被反馈到输入端。

出于这个原因，例如，可以考虑使用多层配线结构，其中接地平面（GND屏蔽）被布置在下层中，从而衬底相对于信号电极（焊盘电极）被屏蔽，以便建立阻止RF信号泄漏到衬底的结构。

然而，当GND屏蔽被布置在焊盘电极的下层中时，例如，焊盘电极和GND屏蔽之间的电容将引起高频特性的劣化。

现在，在使用高频信号的相关半导体装置中，可以提出想法，以便减少焊盘电极等中的高频损耗。

专利文献1：日本公开专利公布No.2003-224189

因此，实施方式的一个方面的目的是提供能够实现减少振荡和频带特性劣化的半导体装置。

发明内容

根据实施方式的方面，半导体装置包括形成在衬底上的第一电极，第一电极为第一电位；以及形成在第一电极上的第二电极，第二电极包括传送信号的信号配线和具有规定面积的平面电极部分。

第一电极的与平面电极部分相对应的形状被制成狭缝形状，使得狭缝的纵向方向平行于信号在平面电极部分中前进的方向。

附图说明

图1是示出了半导体装置的示例的示意图；

图2A和2B示出了关于图1中所示的半导体装置中的不同衬底厚度的、每个S参数相对于频率的依赖关系的示例；

图3A和3B是半导体装置中的微带线结构的说明图；

图4A和4B是半导体装置中的GND屏蔽的说明图；

图5A和5B是关于第一实施方式的半导体装置的说明图；

图6A和6B是分别示出了图5A和5B中所示的半导体装置中的焊盘电极部分和每个S参数相对于频率的依赖关系的示例的示图；

图7A和7B是分别示出了用于比较的、半导体装置中的焊盘电极部分和每个S参数相对于频率的依赖关系的示例的示图；以及

图8是第二实施方式的半导体装置的说明图。

具体实施方式

首先，在详细描述半导体装置的实施方式之前，参照图1到图4B，将描述半导体装置的示例和它的问题。

图1是示出了半导体装置的示例的示意图。图2A和2B示出了关于图1中所示的半导体装置中的不同衬底厚度的、S参数相对于频率的依赖关系的示例。图2A和2B分别示出了关于100μm和50μm的衬底厚度的仿真结果。