[发明专利]导电膜及其制备方法、阵列基板

权利要求书

1.一种导电膜，其特征在于，包括铜或铜合金的基膜，所述基膜内分布有元素氢或碳。

2.根据权利要求1所述的导电膜，其特征在于，所述铜合金的成分包括锰、铝、镁、钙、锌、钛、锆、铪、钒、铌、钽、铬、钼、钨、铁、钌、锇、钴、铋、银、锡、硼、硅、镧、铈、镨和钕中的一种或几种。

3.根据权利要求1或2所述的导电膜，其特征在于，所述导电膜中铜所占比例为75%以上并且小于100%。

4.一种阵列基板，所述阵列基板的像素单元包括栅极、栅极绝缘层、有源层、源/漏极和像素电极，其特征在于，栅极、源/漏电极和/或像素电极为：权利要求1-3任一项所述的导电膜；

或者权利要求1-3任一项所述的导电膜和铜膜的组合膜层。

5.一种如权利要求1-3任一项所述的导电膜的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

提供铜或铜合金靶材；

在磁控溅射镀膜设备的真空腔体中固定上述靶材，并将衬底放入真空腔体中，对真空腔体抽真空，并对所述衬底进行预热处理；

向真空腔体中通入工作气体以及溅射调控气体，调整溅射调控气体在沉积时的温度及分压，并在所述衬底上进行膜层沉积，制备得到导电膜。

6.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，所述溅射调控气体为氢气或甲烷。

7.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，所述溅射调控气体在沉积时的分压为1%-30%。

8.根据权利要求7所述的制备方法，其特征在于，所述溅射调控气体在沉积时的分压为5%-15%。

9.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，所述溅射调控气体在沉积时的温度为0℃-800℃。

10.根据权利要求9所述的制备方法，其特征在于，所述溅射调控气体在沉积时的温度为25℃-250℃。