[发明专利]光伏元件及其制造方法

权利要求书

1.一种光伏元件，包含：

一半导体结构组合，具有多个侧表面，且包含选自由一p-n接面、一n-p接面、一p-i-n接面、一n-i-p接面、一双接面及一多重接面所组成的群组中的其一接面；以及

一第一保护层，形成以被覆该多个侧表面，其中该第一保护层能抑制该光伏元件发生电势诱发衰减效应。

2.根据权利要求1的光伏元件，其中该第一保护层的组成选自由氧化铝、氧化钛、氧化锆、氧化铪以及上述化合物的混合物所组成的一群组中的其一。

3.根据权利要求2的光伏元件，进一步包含一第二保护层，形成以被覆该第一保护层，该第二保护层的组成选自由氮化硅、氮氧化硅以及上述化合物的混合物所组成的一群组中的其一。

4.根据权利要求2的光伏元件，其中该半导体结构组合还具有一正表面以及一与该正表面相对的背表面，该正表面经粗纹化处理，该第一保护层并延伸至该正表面的一边缘，且延伸至该背表面的一边缘，该光伏元件进一步包含：

一抗反射层，形成于该正表面上并被覆延伸至该正表面的边缘的该第一保护层；

一正电极，形成于该抗反射层上，且与该正表面形成欧姆接触；

至少一背面汇流排电极，形成在该背表面上；以及

一背电极，形成于该背表面上且覆盖该背表面上形成该至少一背面汇流排电极以外的区域。

5.根据权利要求2的光伏元件，其中该半导体结构组合还具有一正表面以及一与该正表面相对的背表面，该正表面经粗纹化处理，该第一保护层并延伸至以覆盖该正表面，且延伸至该背表面的一边缘，该光伏元件进一步包含：

一抗反射层，形成以被覆覆盖在该正表面上的该第一保护层；

一正电极，形成于该抗反射层上，且与该正表面形成欧姆接触；

至少一背面汇流排电极，形成在该背表面上；以及

一背电极，形成于该背表面上且覆盖该背表面上形成该至少一背面汇流排电极以外的区域。

6.根据权利要求2的光伏元件，其中该半导体结构组合还具有一正表面以及一与该正表面相对的背表面，该正表面经粗纹化处理，该第一保护层并延伸至该正表面的一边缘，且延伸以覆盖该背表面，该光伏元件进一步包含：

一抗反射层，形成于该正表面上并被覆延伸至该正表面的边缘的该第一保护层；

一正电极，形成于该抗反射层上，且与该正表面形成欧姆接触；

至少一背面汇流排电极，形成于该第一保护层上，且与该背表面形成欧姆接触；以及

一背电极，形成以被覆该第一保护层且未被覆该至少一背面汇流排电极。

7.根据权利要求2的光伏元件，其中该半导体结构组合还具有一正表面以及一与该正表面相对的背表面，该正表面经粗纹化处理，该第一保护层并延伸以覆盖该正表面，且延伸以覆盖该背表面，该光伏元件进一步包含：

一抗反射层，形成以被覆覆盖在该正表面上的该第一保护层；

一正电极，形成于该抗反射层上，且与该正表面形成欧姆接触；

至少一背面汇流排电极，形成于该第一保护层上，且与该背表面形成欧姆接触；以及

一背电极，形成以被覆该第一保护层且未被覆该至少一背面汇流排电极。

8.一种制造一光伏元件的方法，包含下列步骤：

制备一半导体结构组合，其中该半导体结构组合具有多个侧表面，且包含选自由一p-n接面、一n-p接面、一p-i-n接面、一n-i-p接面、一双接面及一多重接面所组成的群组中的其一接面；以及

形成一第一保护层，以被覆该多个侧表面，其中该第一保护层能抑制该光伏元件发生电势诱发衰减效应。

9.根据权利要求8的方法，其中该第一保护层的组成选自由氧化铝、氧化钛、氧化锆、氧化铪以及上述化合物的混合物所组成的一群组中的其一。

10.根据权利要求9的方法，进一步包含下列步骤：

形成一第二保护层，以被覆该第一保护层，其中该第二保护层的组成选自由氮化硅、氮氧化硅以及上述化合物的混合物所组成的一群组中的其一。