[发明专利]基于DBC基板的子单元耐压检测系统及方法在审
申请号: | 201410068995.5 | 申请日: | 2014-02-27 |
公开(公告)号: | CN104882388A | 公开(公告)日: | 2015-09-02 |
发明(设计)人: | 邢毅 | 申请(专利权)人: | 西安永电电气有限责任公司 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66;G01R31/12 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 常亮 |
地址: | 710016 陕*** | 国省代码: | 陕西;61 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 基于 dbc 单元 耐压 检测 系统 方法 | ||
技术领域
本发明涉及半导体封装技术领域,特别是涉及一种基于DBC基板的子单元耐压检测系统及方法。
背景技术
塑封式IPM(Intelligent Power Module,智能功率模块),是将IGBT芯片及其驱动电路、控制电路和过流、欠压、短路、过热等保护电路集成于一体的新型控制模块。它是一种复杂、先进的功率模块,能自动实现过流、欠压、短路和过热等复杂保护功能,因而具有智能特征。同时它具有低成本、小型化、高可靠、易使用等优点,广泛应用于变频家电、逆变电源、工业控制等领域,社会效益和经济效益十分可观。
DBC(Direct Bonded Copper),是绝缘导热基板,具有热阻低、结合强度高、便于印制图形、可焊性好等优点,近十年来已广泛应用于诸如GTR、IGBT、MCT等电力电子模块中。DBC基板便于将芯片封装在同一模块之中,从而缩短和减少内部引线,提高了模块的可靠性并为功率模块智能化创造了工艺条件,同时热阻的显著降低便于模块向更大的功率发展。在IGBT模块制造中,芯片与DBC基板进行焊接后,经过铝线键合达到特定的电连接形式最终形成子单元。子单元是IGBT模块的核心部件,子单元的好坏就决定了封装后IGBT模块的好坏。因此,子单元的检测一方面筛选出好的子单元进行封装,能够提高IGBT模块的合格率;另一方面在封装前筛选出坏的子单元,避免后道工序的进行,节约了成本。因此非常有必要在子单元封装前进行检测,而合理的检测工装非常重要。
目前国内IGBT模块的生产处于发展阶段,其子单元的检测只是通过检测设备自带的连接线来进行测试。
使用检测设备自带的连接线进行测试时,首先需要两名操作人员进行,连接比较繁琐,测试效率比较低。其次测试时,探针与子单元接触靠手动完成,不稳定且存在安全隐患。
因此,针对上述技术问题,有必要提供一种基于DBC基板的子单元耐压检测系统及方法。
发明内容
有鉴于此,本发明提供了一种基于DBC基板的子单元耐压检测系统及方法。
为了实现上述目的,本发明实施例提供的技术方案如下:
一种基于DBC基板的子单元耐压检测系统,所述子单元包括DBC基板及与DBC基板焊接连接的芯片,所述耐压检测系统包括耐压检测器及与所述耐压检测器电连接的检测工装,所述检测工装包括绝缘底板和若干活动设置于绝缘底板上的测试探针。
作为本发明的进一步改进,所述绝缘底板上设置有若干探针安装柱,所述探针安装柱旋转设置于所述绝缘底板上,所述探针安装柱与测试探针电性连接。
作为本发明的进一步改进,所述探针安装柱上设置有与绝缘底板水平的探针安装孔,所述测试探针活动安装于所述探针安装孔内。
作为本发明的进一步改进,所述测试探针包括连接部和测试部,连接部和测试部弯折设置,所述连接部活动安装于探针安装孔内。
作为本发明的进一步改进,所述连接部和测试部相互垂直设置。
作为本发明的进一步改进,所述探针安装柱数量设置为3个或3个以上。
作为本发明的进一步改进,所述测试探针数量设置为3个或3个以上。
作为本发明的进一步改进,所述绝缘底板上垂直设置有若干用于对子单元进行定位的定位柱。
相应地,一种基于DBC基板的子单元耐压检测系统的耐压检测方法,所述方法包括以下步骤:
S1、将子单元固定于绝缘底板上;
S2、调节测试探针的水平位置,测试探针分别放置到子单元的栅极、发射极和集电极的测试点上;
S3、通过导线连接相应栅极和发射极上的测试探针,使栅极和发射极短接;
S4、将耐压检测器连接在发射极和集电极上的测试探针上,耐压检测器进行子单元耐压测试。
本发明基于DBC基板的子单元耐压检测系统及方法能够快速、安全、有效的对子单元进行耐压测试,提高了子单元的合格率,降低了测试和生产成本。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案,下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本发明中记载的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本发明一具体实施方式中基于DBC基板的子单元耐压检测系统的结构示意图;
图2为本发明一具体实施方式中检测工装的结构示意图。
具体实施方式
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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