[发明专利]背接触式太阳能电池的制作方法

权利要求书

1.一种背接触式太阳能电池的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：

步骤(a)提供一半导体基板；

步骤(b)粗糙化该半导体基板的一受光表面；

步骤(c)形成多个含磷膏体于该半导体基板的一背光表面上；

步骤(d)对该半导体基板进行磷离子扩散工艺，使该些含磷膏体进入该半导体基板形成多个n型重掺杂区，以及在该半导体基板的该受光表面形成一前表面场层，以及在该半导体基板的侧面与该背光表面形成一n型轻掺杂层；

步骤(e)移除该n型轻掺杂层；

步骤(f)形成一前抗反射层于该前表面场层上，以及形成一背抗反射层于该背光表面上；

步骤(g)印制多个含铅银胶于该背抗反射层上，该些含铅银胶的位置分别对应于该些n型重掺杂区；

步骤(h)印制多个含铅铝胶于该背抗反射层上，该些含铅铝胶的位置分别对应于该背接触式太阳能电池的多个p型接触区；以及

步骤(i)烧结该些含铅银胶与该些含铅铝胶，以形成多个电极。

2.根据权利要求1所述的背接触式太阳能电池的制作方法，其特征在于，步骤(b)包含对该半导体基板进行湿蚀刻。

3.根据权利要求1所述的背接触式太阳能电池的制作方法，其特征在于，步骤(e)中包含将该半导体基板浸泡于氟化氢溶液，以移除该半导体基板表面的一磷化硅玻璃。

4.根据权利要求1所述的背接触式太阳能电池的制作方法，其特征在于，步骤(f)中的该前抗反射层以及该背抗反射层为一介电层。

5.根据权利要求1所述的背接触式太阳能电池的制作方法，其特征在于，步骤(g)包含固化该些含铅银胶。

6.根据权利要求1所述的背接触式太阳能电池的制作方法，其特征在于，步骤(h)包含固化该些含铅铝胶。

7.根据权利要求1所述的背接触式太阳能电池的制作方法，其特征在于，步骤(i)包含：

该些含铅银胶通过该背抗反射层，与该些n型重掺杂区接触。

8.根据权利要求1所述的背接触式太阳能电池的制作方法，其特征在于，步骤(i)包含：

该些含铅铝胶通过该背抗反射层，并且该些含铅铝胶中的铝进入该半导体基板而形成多个p型重掺杂区，该些含铅铝胶分别连接该些p型重掺杂区，其中，该些p型重掺杂区与该些n型重掺杂区不相连且交错排列。

9.一种背接触式太阳能电池的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：

步骤(a)提供一半导体基板；

步骤(b)粗糙化该半导体基板的一受光表面；

步骤(c)对该半导体基板进行磷离子扩散，以在该半导体基板的该受光表面形成一前表面场层，以及在该半导体基板的侧面与该背光表面形成一n型掺杂层；

步骤(d)移除该n型掺杂层；

步骤(e)形成多个n型掺杂区于该半导体基板的一背光表面；

步骤(f)形成多个p型掺杂区于该半导体基板的该背光表面，其中，该些p型掺杂区与该些n型掺杂区不相连；

步骤(g)形成一前抗反射层于该前表面场层上，以及形成一背抗反射层于该背光表面上；

步骤(h)印制多个导电胶于该背抗反射层，该些导电胶的位置分别对应于该些n型掺杂区以及该些p型掺杂区；以及

步骤(i)烧结该些导电胶，以形成多个电极。

10.根据权利要求9所述的背接触式太阳能电池的制作方法，其特征在于，步骤(b)包含对该半导体基板进行湿蚀刻。

11.根据权利要求9所述的背接触式太阳能电池的制作方法，其特征在于，步骤(d)中包含将该半导体基板浸泡于氟化氢溶液，以移除该半导体基板表面的一磷化硅玻璃。

12.根据权利要求9所述的背接触式太阳能电池的制作方法，其特征在于，步骤(e)为通过离子植入工艺形成。

13.根据权利要求9所述的背接触式太阳能电池的制作方法，其特征在于，步骤(f)为通过离子植入工艺形成。

14.根据权利要求9所述的背接触式太阳能电池的制作方法，其特征在于，步骤(g)中的该前抗反射层与该背抗反射层为一介电层。