[发明专利]背接触式太阳能电池的制作方法有效

专利信息
申请号: 201410069201.7 申请日: 2014-02-27
公开(公告)号: CN103811591A 公开(公告)日: 2014-05-21
发明(设计)人: 胡雁程;陈人杰;吴振诚 申请(专利权)人: 友达光电股份有限公司
主分类号: H01L31/18 分类号: H01L31/18
代理公司: 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 代理人: 梁挥;鲍俊萍
地址: 中国台湾新竹科*** 国省代码: 中国台湾;71
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 接触 太阳能电池 制作方法
【说明书】:

技术领域

发明是有关于一种太阳能电池的制作方法,特别是有关于一种背接触式太阳能电池的制作方法。

背景技术

太阳能电池是利用材料的光电效应(photovoltaic effect),将环境光能量直接转换成电能的元件。光线照在物质内部而产生导电载子增加的现象,称为光电效应。对半导体物质而言,当太阳光照射时,光能将硅原子中的电子激发出来,而产生电子-空穴对,这些电子和空穴均会受到内建电位的影响,分别被n型半导体和p型半导体吸引,而聚集在两端。此时外部用电极连接起来,形成一个回路。

为了提高太阳能电池的光捕捉效率,背接触式(back-contact)的太阳能电池亦逐渐受到重视。然而,背接触式太阳能电池的制作工序可能高达22个步骤,因此,如何减少背接触式太阳能电池的制作工序以及成本,便成为一个重要的课题。

发明内容

本发明提供了一种背接触式太阳能电池的制作方法,借由简化制作的流程而提升生产效率。

本发明的一实施方式提出了一种背接触式太阳能电池的制作方法,基本上由以下步骤所组成:(a)提供一半导体基板;(b)粗糙化半导体基板的一受光表面;(c)形成多个含磷膏体于半导体基板的一背光表面上;(d)对该半导体基板进行磷离子扩散,使含磷膏体进入半导体基板形成多个n型重掺杂区,以及在半导体基板的受光表面形成一前表面场层,以及在半导体基板的侧面与背光表面形成一n型轻掺杂层;(e)移除n型轻掺杂层;(f)形成一前抗反射层于前表面场层上以及形成一背抗反射层于背光表面上;(g)印制多个含铅银胶于背抗反射层上,含铅银胶的位置对应于n型重掺杂区;(h)印制多个含铅铝胶于背抗反射层上,含铅铝胶的位置分别对应于背接触式太阳能电池的多个p型接触区;以及(i)烧结含铅银胶与含铅铝胶,以形成多个电极。

本发明的另一实施方式提出了一种背接触式太阳能电池的制作方法,基本上由以下步骤所组成:(a)提供一半导体基板;(b)粗糙化半导体基板的一受光表面;(c)对半导体基板进行磷离子扩散,以在半导体基板的受光表面形成一前表面场层,以及在半导体基板的侧面与背光表面形成一n型掺杂层;(d)移除n型掺杂层;(e)形成多个n型掺杂区于半导体基板的一背光表面;(f)形成多个p型掺杂区于半导体基板的背光表面,其中,p型掺杂区与n型掺杂区不相连;(g)形成一前抗反射层于前表面场层上,以及形成一背抗反射层于背光表面上;(h)印制多个导电胶于背抗反射层,导电胶的位置分别对应于n型掺杂区以及p型掺杂区;以及(i)烧结导电胶,以形成多个电极。

本发明的又一实施方式提出了一种背接触式太阳能电池的制作方法,基本上由以下步骤所组成:(a)提供一半导体基板;(b)粗糙化半导体基板的一受光表面;(c)形成一阻障层于受光表面;(d)对半导体基板进行一硼离子扩散,以在半导体基板之侧面与背光表面形成一p型掺杂层,其中,p型掺杂区与n型掺杂区不相连;(e)移除阻障层;(f)图案化p型掺杂层,以在背光表面形成交错排列的多个凹槽与多个p型掺杂区;(g)形成一前表面场层于受光表面上,以及形成多个n型掺杂区于凹槽中;(h)形成一前抗反射层于前表面场层上,以及形成一背抗反射层于背光表面上;(i)印制多个导电胶于背抗反射层,导电胶的位置分别对应于n型掺杂区以及p型掺杂区;以及(j)烧结导电胶,以形成多个电极。

本发明的再一实施方式提出了一种背接触式太阳能电池的制作方法,基本上由以下步骤所组成:(a)提供一半导体基板;(b)粗糙化半导体基板的一受光表面;(c)形成一前表面场层于受光表面;(d)在半导体基板的一背光表面形成多个n型掺杂区;(e)形成一阻障层于前表面场层上,以及覆盖于n型掺杂区上;(f)对半导体基板进行一硼离子掺杂,以在半导体基板未被阻障层覆盖的区域形成多个p型掺杂区;(g)对半导体基板进行退火;(h)移除阻障层;(i)形成一前抗反射层于前表面场层上,以及形成一背抗反射层于背光表面上;(j)印制多个导电胶于背抗反射层,导电胶的位置分别对应于n型掺杂区以及p型掺杂区;(k)烧结导电胶,以形成多个电极;以及(l)在背光表面上形成多个凹槽,以分隔n型掺杂区与p型掺杂区。

此处所指的“基本上由以下步骤所组成”是表示本实施例所提供的方法中,除了以下所提到的步骤之外,不排除如搬运、清洗等常规的工艺步骤。

本发明所提供的背接触式太阳能电池的制作方法,借由减少光掩膜的使用以及工艺步骤,可以有效提升背接触式太阳能电池的制作效率。

附图说明

图1A至图1I为本发明背接触式太阳能电池一实施例的流程图。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于友达光电股份有限公司,未经友达光电股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201410069201.7/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top