[发明专利]半导体装置在审
申请号: | 201410072026.7 | 申请日: | 2014-02-28 |
公开(公告)号: | CN104425541A | 公开(公告)日: | 2015-03-18 |
发明(设计)人: | 赤田裕亮 | 申请(专利权)人: | 株式会社东芝 |
主分类号: | H01L27/22 | 分类号: | H01L27/22;H01L43/02;H05K9/00 |
代理公司: | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人: | 陈海红;段承恩 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 装置 | ||
1.一种半导体装置,具备:
基板;
磁阻存储芯片,其安装于所述基板;
第一软磁性体,其配置在所述基板与所述磁阻存储芯片之间,覆盖所述磁阻存储芯片的背面;
第二软磁性体,其覆盖所述磁阻存储芯片的正面;以及
第三软磁性体,其覆盖所述磁阻存储芯片的侧面。
2.根据权利要求1所述的半导体装置,其中,
所述第一~第三软磁性体的厚度为50μm以上且500μm以下。
3.根据权利要求1或2所述的半导体装置,其中,
还具备将所述磁阻存储芯片密封的密封树脂,
所述第二软磁性体设置在所述密封树脂的表面。
4.根据权利要求1或2所述的半导体装置,其中,
所述第三软磁性体与所述第一软磁性体或所述第二软磁性体一体地成形。
5.根据权利要求1或2所述的半导体装置,其中,
还具备包括软磁性体的填充材料,所述填充材料将所述第一软磁性体与所述第三软磁性体的间隙、以及所述第二软磁性体与所述第三软磁性体的间隙中的至少一方填充。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的