[发明专利]半导体装置

说明书

技术领域

本发明的实施方式涉及具备磁阻存储器的半导体装置。

背景技术

现在，各种半导体存储器被开发出且已实用化。在半导体存储器中，利用磁的磁阻存储器（magnetoresistive random memory：MRAM）已实用化。磁阻存储器是利用磁的存储元件，所保持的信息可能会因外部磁场的影响而丢失。

因此，在以往的磁阻存储器中，为了抑制外部磁场的影响，提出了在磁阻存储器的正面（第一主面）和背面（第二主面）配置软磁性材料的方案。通过配置软磁性材料，外部磁场选择性地透过软磁性材料，所以能够抑制外部磁场对磁阻存储器造成的影响。

然而，在上述方案的情况下，与对在平行方向上入射于磁阻存储器的主面的磁场的屏蔽效果相比，对在垂直方向上入射于磁阻存储器的主面的磁场的屏蔽效果弱。

发明内容

本发明要解决的问题在于，提供一种能够更有效地减少外部磁场的影响的半导体装置。

实施方式的半导体装置具备：基板；磁阻存储芯片，其安装于基板；第一软磁性体，其配置在基板与磁阻存储芯片之间，且覆盖磁阻存储芯片的背面；第二软磁性体，其覆盖磁阻存储芯片的正面；以及第三软磁性体，其覆盖磁阻存储芯片的侧面。

附图说明

图1是第一实施方式的半导体装置的结构图。

图2是表示第一实施方式的半导体装置的磁屏蔽效果的图。

图3是表示比较例的半导体装置的磁屏蔽效果的图。

图4是第二实施方式的半导体装置的结构图。

图5是第三实施方式的半导体装置的结构图。

图6是第一～第三实施方式的变形例的半导体装置的结构图。

图7是第四实施方式的半导体装置的结构图。

图8是第五实施方式的半导体装置的结构图。

图9是第六实施方式的半导体装置的结构图。

图10是第七实施方式的半导体装置的结构图。

标号的说明

B_H、B_V…磁场，F…粘接剂，P…焊盘，T1…外部连接端子，T2…连接端子，W…接合线，100、100A、200、200A、300、300A、400、500、600、700…半导体装置，101…布线基板，101H…正面，101R…背面，102…磁阻存储芯片，102A、102B、102C、102D…侧面，102H…正面，102R…背面，103…第一软磁性体，104…第二软磁性体，105…第三软磁性体，106…密封（封止）树脂，107…填充材料。

具体实施方式

以下，参照图1～图10，对实施方式的半导体装置和半导体装置的制造方法进行说明。在各实施方式的附图中，对实质上相同的结构部位标注相同的标号，省略一部分说明。其中，附图是示意性的图，厚度与平面尺寸的关系、各层的厚度的比例等与现实不同。说明中的表示上下等方向的用语是指以后述的半导体基板的电路形成面侧为上时的相对方向，有时与以重力加速度方向为基准的现实的方向不同。

（第一实施方式）

图1是第一实施方式的半导体装置100的结构图。图1（a）是半导体装置100的俯视图。图1（b）是半导体装置100的主视图。图1（c）是半导体装置100的侧视图。

半导体装置100具备布线基板101、磁阻存储芯片（magnetoresistive random memory：MRAM）102、第一软磁性体103、第二软磁性体104、第三软磁性体105以及密封树脂106。在图1中，用虚线表示密封树脂106，图示了密封树脂106内。

布线基板101是用于安装磁阻存储芯片102的基板。在布线基板101的背面101R设置有外部连接端子T1。在布线基板101的正面101H设置有与磁阻存储芯片102连接的连接端子T2。

磁阻存储芯片102在俯视下具有矩形形状。在磁阻存储芯片102设置有用于与布线基板101连接的焊盘P。磁阻存储芯片102的焊盘P和布线基板101的连接端子T2通过接合线W电连接。

第一软磁性体103配置在布线基板101与磁阻存储芯片102之间，覆盖磁阻存储芯片102的背面102R。第二软磁性体104配置在磁阻存储芯片102上，覆盖磁阻存储芯片102的正面102H。第三软磁性体105覆盖磁阻存储芯片102的相对的侧面102A、102B。此外，为了避免与接合线W的干涉，磁阻存储芯片102的侧面102C、102D没有被第三软磁性体105覆盖。