[发明专利]一种深沟槽隔离结构及其制备方法在审
| 申请号： | 201410072259.7 | 申请日： | 2014-02-28 |
| 公开（公告）号： | CN104882471A | 公开（公告）日： | 2015-09-02 |
| 发明（设计）人： | 王刚宁;王海强;陈宗高;俞谦荣;杨广立;蒲贤勇 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L21/762 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 董巍;高伟 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 深沟 隔离 结构 及其 制备 方法 | ||
1.一种深沟槽隔离结构的制备方法，包括：
提供半导体衬底，所述半导体衬底中形成有浅沟槽隔离结构；
图案化所述浅沟槽隔离结构和所述半导体衬底，以在所述浅沟槽隔离结构和所述半导体衬底中形成深沟槽；
在所述深沟槽的侧壁上形成氧化物保护层（204）；
选用半导体材料填充所述深沟槽，以形成深沟槽隔离结构。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述深沟槽位于所述浅沟槽隔离结构的中间部位，以使所述浅沟槽隔离结构包围所述深沟槽的顶部。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述半导体衬底中形成有有源区，所述深沟槽隔离结构位于所述有源区内。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，选用半导体材料填充所述深沟槽之后，还进一步包括平坦化的步骤。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述半导体材料选用掺杂的多晶硅。
6.一种深沟槽隔离结构，包括：
半导体衬底；
浅沟槽隔离结构，位于所述半导体衬底中；
深沟槽隔离，嵌于所述浅沟槽隔离结构和所述半导体衬底中，所述浅沟槽隔离结构环绕包围住所述深沟槽隔离的顶部。
7.根据权利要求6所述的深沟槽隔离结构，其特征在于，所述半导体衬底中还形成有有源区，所述浅沟槽隔离结构和所述深沟槽隔离位于所述有源区中。
8.根据权利要求7所述的深沟槽隔离结构，其特征在于，所述深沟槽隔离包括位于深沟槽侧壁上的氧化物保护层以及位于中心的半导体材料。
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