[发明专利]研磨装置及研磨方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种对形成有器件的晶片等基板进行研磨的研磨装置及研磨方法，尤其涉及一种对基板的平坦面及周缘部进行研磨的多级研磨装置及多级研磨方法。

背景技术

在半导体器件的制造工序中，为了去除不需要的材料膜，而对晶片的表面及周缘部(也称为伞形部或边缘部)进行研磨。该晶片的研磨工序大致分为：对晶片的平坦表面进行研磨的工序、以及对晶片的周缘部进行研磨的工序。晶片的平坦面的研磨是通过一边将研磨液(浆料)供给到研磨垫等的研磨工具上，一边使晶片的表面与研磨工具滑动接触而进行的。这种采用浆料的研磨，被称为化学机械研磨(CMP)。晶片周缘部的研磨是通过一边将研磨液(通常为纯水)供给于晶片，一边使研磨带与晶片周缘部滑动接触而进行的。

专利文献1：日本专利特许第4655369号公报

专利文献2：日本专利特开2010-141218号公报

专利文献3：日本专利特开2008-42220号公报

发明所要解决的课题

如专利文献1至3所公开的那样，提出了几种对晶片的平坦面进行研磨，再对晶片的周缘部进行研磨的多级研磨方法。但是，在这种多级研磨中，在先前的研磨工序中所产生的研磨屑及/或浆料有时会给下一研磨工序带来不良影响。例如，研磨屑有时会擦伤晶片。

发明内容

本发明是鉴于上述问题而做成的，其目的在于提供一种能够使晶片等基板不会产生擦伤等的缺陷地进行多级研磨的研磨装置及研磨方法。

用于解决课题的手段

为实现上述目的，本发明的一形态是一种对基板进行研磨的研磨装置，其特点是，具有：对所述基板的周缘部进行研磨的周缘部研磨单元；对所述基板的平坦面进行研磨的CMP单元；对研磨后的所述基板进行清洗的清洗单元；以及搬运所述基板的搬运系统，所述搬运系统如下述地动作：将由所述周缘部研磨单元及所述CMP单元中的一方研磨后的所述基板搬运到所述清洗单元，将由所述清洗单元清洗后的所述基板搬运到所述周缘部研磨单元及所述CMP单元中的另一方。

在本发明优选的形态中，其特点是，所述搬运系统如下述地动作：将由所述周缘部研磨单元及所述CMP单元中的所述另一方研磨后的所述基板搬运到所述清洗单元。

在本发明优选的形态中，其特点是，还具有对所述基板进行翻转的翻转机，所述翻转机配置在所述周缘部研磨单元与所述CMP单元之间。

在本发明优选的形态中，其特点是，还具有对由所述清洗单元清洗后的所述基板进行干燥的干燥单元。

在本发明优选的形态中，其特点是，所述清洗单元包括：第1清洗单元，所述第1清洗单元用于对由所述周缘部研磨单元研磨后的所述基板进行清洗；以及第2清洗单元，所述第2清洗单元用于对由所述CMP单元研磨后的所述基板进行清洗。

本发明的另一形态是一种对基板进行研磨的研磨方法，其特点是，进行第1研磨工序，所述第1研磨工序是对所述基板进行研磨的工序，在所述第1研磨工序后对所述基板进行清洗，进行第2研磨工序，所述第2研磨工序是对清洗后的所述基板进行研磨的工序，所述第1研磨工序是对所述基板的周缘部及平坦面中的一方进行研磨的工序，所述第2研磨工序是对所述基板的周缘部及平坦面中的另一方进行研磨的工序。

在本发明优选的形态中，还包含：在所述第2研磨工序后对所述基板进行清洗的工序。

在本发明优选的形态中，还包含：在所述第2研磨工序后对所述基板进行清洗，进一步对所述基板进行干燥的工序。

在本发明优选的形态中，在所述第1研磨工序后对所述基板进行清洗的工序与在所述第2研磨工序后对所述基板进行清洗的工序，由不同的清洗单元进行。

发明的效果

采用本发明，在进行第1研磨工序后清洗基板，然后进行第2研磨工序。因此，第1研磨工序所产生的研磨屑及/或第1研磨工序所使用的浆料等从基板上被去除，可防止在第2研磨工序中产生擦伤等的缺陷。

附图说明

图1(a)及图1(b)是表示作为基板一例子的晶片的放大剖视图。

图2是表示本发明的实施方式的研磨装置的俯视图。

图3是表示周缘部研磨单元一例子的示意图。

图4是周缘部研磨单元的俯视图。

图5是研磨头的放大图。

图6(a)至图6(c)是表示通过倾斜机构改变研磨头角度，并将研磨带按压于晶片的周缘部的状态的示图。

图7是表示第1清洗单元的立体图。

图8是表示干燥单元的立体图。