[发明专利]用于双端口SRAM的升压系统

权利要求书

1.一种用于双端口SRAM的升压系统，包括：

比较器，被配置为比较第一端口的第一行地址和第二端口的第二行地址，并且当所述第一行地址和所述第二行地址相等时，输出第一使能信号；以及

升压电路，被配置为根据所述第一使能信号提高第一电压源和第二电压源之间的电压差。

2.根据权利要求1所述的升压系统，其中，所述升压电路被配置为提高所述第一电压源。

3.根据权利要求1所述的升压系统，其中，所述升压电路被配置为降低所述第二电压源。

4.根据权利要求1所述的升压系统，其中，所述比较器包括：被配置为连接所述第一行地址和所述第二行地址的晶体管。

5.根据权利要求1所述的升压系统，还包括：

阵列写入复制电路，被配置为模拟双端口SARM的写入操作，并且输出第二使能信号和第三使能信号。

6.根据权利要求5所述的升压系统，其中，所述阵列写入复制电路包括多个单元、写入复制电路和延迟电路。

7.根据权利要求5所述的升压系统，其中，所述升压电路被配置为根据所述第一使能信号、所述第二使能信号和所述第三使能信号提高所述电压差。

8.根据权利要求1所述的升压系统，其中，所述升压电路包括写入驱动升压电路。

9.根据权利要求1所述的升压系统，还包括双端口SRAM，所述双端口SRAM包括以矩阵形式布置的多个单元，每个单元都具有所述第一端口的第一行地址和所述第二端口的第二行地址。

10.一种用于双端口SRAM的升压方法，所述升压方法包括：

当所述双端口SRAM中的所选择单元的两个端口同时操作时，产生第一使能信号；以及

根据所述第一使能信号提高第一电压源和第二电压源之间的电压差。

11.根据权利要求10所述的升压方法，其中，当使能所述所选择单元的两个端口的第一端口字线和第二端口字线时，产生所述第一使能信号。

12.根据权利要求10所述的升压方法，其中，根据所述第一使能信号增加所述第一电压源。

13.根据权利要求10所述的升压方法，还包括：

模拟写入操作，并且输出第二使能信号和第三使能信号。

14.根据权利要求13所述的升压方法，其中，根据所述第一使能信号、所述第二使能信号和所述第三使能信号提高所述电压差。

15.根据权利要求13所述的升压方法，其中，通过延迟预定时间模拟所述写入操作。

16.一种用于双端口SRAM的升压方法，所述升压方法包括：

比较第一端口的第一行地址和第二端口的第二行地址，并且当所述第一行地址和所述第二行地址相等时，输出第一使能信号；以及

根据所述第一使能信号提高第一电压源和第二电压源之间的电压差。

17.根据权利要求16所述的升压方法，其中，根据所述第一使能信号增加所述第一电压源。

18.根据权利要求16所述的升压方法，还包括：

模拟写入操作，并且输出第二使能信号和第三使能信号。

19.根据权利要求18所述的升压方法，其中，根据所述第一使能信号、所述第二使能信号和所述第三使能信号提高所述电压差。

20.根据权利要求18所述的升压方法，其中，通过延迟预定时间模拟所述写入操作。