[发明专利]用于双端口SRAM的升压系统

说明书

技术领域

本发明涉及用于双端口SRAM的升压系统、双端口SRAM和升压方法。

背景技术

双端口SRAM（静态随机存取存储器）包括若干单元。每个单元都具有两个独立的端口，且允许同时进行读出/写入操作。例如，两个端口可以同时以读出模式操作或一个端口以读出模式操作而另一个端口同时以写入模式操作。

发明内容

根据本发明的一个方面，提供了一种升压系统，包括：比较器，被配置为比较第一端口的第一行地址和第二端口的第二行地址，并且输出第一使能信号；以及升压电路，被配置为根据所述第一使能信号提高第一电压源和第二电压源之间的电压差。

优选地，升压电路被配置为提高所述第一电压源。

优选地，升压电路被配置为降低所述第二电压源。

优选地，比较器包括：被配置为连接所述第一行地址和所述第二行地址的晶体管。

优选地，该升压系统还包括：阵列写入复制电路，被配置为模拟双端口SARM的写入操作，并且输出第二使能信号和第三使能信号。

优选地，阵列写入复制电路包括多个单元、写入复制电路和延迟电路。

优选地，升压电路被配置为根据所述第一使能信号、所述第二使能信号和所述第三使能信号提高所述电压差。

优选地，升压电路包括写入驱动升压电路。

优选地，该升压系统还包括双端口SRAM，所述双端口SRAM包括以矩阵形式布置的多个单元，每个单元都具有所述第一端口的第一行地址和所述第二端口的第二行地址。

根据本发明的另一方面，提供了一种用于双端口SRAM的升压方法，包括：当所述双端口SRAM中的所选择单元的两个端口同时操作时，产生第一使能信号；以及根据所述第一使能信号提高第一电压源和第二电压源之间的电压差。

优选地，当使能所述所选择单元的两个端口的第一端口字线和第二端口字线时，产生所述第一使能信号。

优选地，根据所述第一使能信号增加所述第一电压源。

优选地，该升压方法还包括：模拟写入操作，并且输出第二使能信号和第三使能信号。

优选地，根据所述第一使能信号、所述第二使能信号和所述第三使能信号提高所述电压差。

优选地，通过延迟预定时间模拟所述写入操作。

根据本发明的又一方面，提供了一种用于双端口SRAM的升压方法，包括：比较第一端口的第一行地址和第二端口的第二行地址，并且输出第一使能信号；以及根据所述第一使能信号提高第一电压源和第二电压源之间的电压差。

优选地，根据所述第一使能信号增加所述第一电压源。

优选地，该升压方法还包括：模拟写入操作，并且输出第二使能信号和第三使能信号。

优选地，根据所述第一使能信号、所述第二使能信号和所述第三使能信号提高所述电压差。

优选地，通过延迟预定时间模拟所述写入操作。

附图说明

附图和下面的说明书中陈述了本发明的一个或多个实施例的细节。根据说明书、视图和权利要求，本发明的其他特征和优势将是显而易见的。

图1是根据一些实施例的用于双端口SRAM的升压系统的示意框图。

图2是根据一些实施例的用于双端口SRAM的升压系统的示意框图。

图3是根据一些实施例的双端口SRAM的单元的示意电路图。

图4是根据一些实施例的具有升压系统的双端口SRAM的示意框图。

图5是根据一些实施例的比较器的示意电路图。

图6是根据一些实施例的升压电路的示意电路图。

图7是示出根据图4的实施例的第一端口字线、第二端口字线、升压使能信号和第一电压源的示意时序图。

图8是根据一些实施例的具有升压系统的双端口SRAM的示意电路图。

图9是根据一些实施例的具有升压系统的双端口SRAM的示意框图。

图10是根据图8的实施例的具有升压系统的双端口SRAM的示意电路图。

图11是示出根据图10的实施例的第一端口字线、第二端口字线、升压使能信号和第一电压源的示意时序图。

图12是根据一些实施例的阵列写入复制电路的示意电路图。

图13是根据一些实施例的具有升压系统的双端口SRAM的示意电路图。

图14是根据一些实施例的用于双端口SRAM的升压方法的流程图。

图15是根据一些实施例的用于双端口SRAM的升压方法的流程图。