[发明专利]有机层沉积设备和用其制造有机发光显示设备的方法有效
申请号: | 201410074527.9 | 申请日: | 2014-03-03 |
公开(公告)号: | CN104167511B | 公开(公告)日: | 2018-03-30 |
发明(设计)人: | 李秀奂;成沄澈;金茂显;李东规 | 申请(专利权)人: | 三星显示有限公司 |
主分类号: | H01L51/56 | 分类号: | H01L51/56;H01L27/32;C23C14/12;C23C14/24;C23C14/04 |
代理公司: | 北京英赛嘉华知识产权代理有限责任公司11204 | 代理人: | 余朦,杨莘 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 有机 沉积 设备 制造 发光 显示 方法 | ||
1.有机层沉积设备,包括:
输送系统,包括移动单元、第一输送单元以及第二输送单元,所述移动单元被配置为联接有衬底并与所述衬底一起移动,第一输送单元用于在所述衬底被联接至所述移动单元时使所述移动单元在第一方向上移动,所述第二输送单元用于在沉积完成之后在所述衬底与所述移动单元分离时使所述移动单元在与所述第一方向相反的第二方向上移动;以及
沉积单元,包括至少一个有机层沉积组件,所述至少一个有机层沉积组件用于在所述衬底被联接至所述移动单元时在所述衬底上沉积有机层,
其中所述至少一个有机层沉积组件中的每一个均包括:
至少一个沉积源,用于排放沉积材料;
沉积源喷嘴单元,设置在所述至少一个沉积源的一侧,其中所述沉积源喷嘴单元中形成有至少一个沉积源喷嘴;
构图狭缝片,被设置为面对所述沉积源喷嘴单元并包括沿着预定方向延伸的多个构图狭缝;
遮蔽构件,设置在所述衬底与所述至少一个沉积源之间并被配置为阻挡从所述至少一个沉积源蒸发的所述沉积材料;以及
丝网构件,设置在所述遮蔽构件的一侧并被配置为防止所述沉积材料从所述遮蔽构件滴落,
其中所述移动单元被配置为在所述第一输送单元与所述第二输送单元之间循环移动,以及
其中,当联接至所述移动单元时,所述衬底在被所述第一输送单元转移时与所述有机层沉积组件间隔预定距离,以及
其中,所述丝网构件设置在所述遮蔽构件的面对所述沉积源的一侧。
2.如权利要求1所述的有机层沉积设备,其中所述遮蔽构件能够可操作地移动以防止所述沉积材料沉积在所述衬底上。
3.如权利要求2所述的有机层沉积设备,其中所述遮蔽构件被配置为在所述至少一个沉积源与所述构图狭缝片之间移动。
4.如权利要求2所述的有机层沉积设备,其中所述丝网构件联接至所述遮蔽构件以与所述遮蔽构件一起移动。
5.如权利要求1所述的有机层沉积设备,其中所述遮蔽构件设置在所述沉积源的一侧并被定位和成形为朝着所述衬底引导从所述至少一个沉积源蒸发的所述沉积材料。
6.如权利要求5所述的有机层沉积设备,其中所述遮蔽构件被成形为至少部分地围绕所述沉积源。
7.如权利要求5所述的有机层沉积设备,其中所述丝网构件联接至所述遮蔽构件并且所述丝网构件和所述遮蔽构件被定位为靠近所述沉积源的一侧。
8.如权利要求1所述的有机层沉积设备,其中所述至少一个有机层沉积组件中的每一个均包括:
多个沉积源;以及
多个遮蔽构件,可移动地定位在所述多个沉积源中的相应沉积源与所述构图狭缝片之间。
9.如权利要求8所述的有机层沉积设备,其中所述多个遮蔽构件能够被定位为防止所述沉积材料沉积在所述衬底上。
10.如权利要求1所述的有机层沉积设备,其中所述遮蔽构件被成形和定位为覆盖所述衬底的边界区域。
11.如权利要求10所述的有机层沉积设备,其中所述遮蔽构件被配置为在覆盖所述衬底的所述边界区域时与所述衬底一起移动。
12.如权利要求1所述的有机层沉积设备,其中所述构图狭缝片的狭缝被成形和定位以使从所述至少一个沉积源排放的所述沉积材料以预定图案沉积在所述衬底上。
13.如权利要求1所述的有机层沉积设备,其中所述构图狭缝片在所述第一方向和与所述第一方向不同的第三方向中的至少一个上具有比所述衬底更小的尺寸。
14.如权利要求1所述的有机层沉积设备,其中所述第一输送单元和所述第二输送单元被配置为经过所述沉积单元。
15.如权利要求1所述的有机层沉积设备,其中所述第一输送单元被设置为平行于所述第二输送单元。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
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