[发明专利]晶片的加工方法有效
申请号: | 201410074894.9 | 申请日: | 2014-03-03 |
公开(公告)号: | CN104037123B | 公开(公告)日: | 2018-11-27 |
发明(设计)人: | 森数洋司;武田昇 | 申请(专利权)人: | 株式会社迪思科 |
主分类号: | H01L21/768 | 分类号: | H01L21/768 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 李辉;金玲 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 晶片 加工 方法 | ||
1.一种晶片的加工方法,在晶片上形成多个分别与多个接合焊盘对应的通孔,所述晶片具有第一表面和与该第一表面相反的第二表面,所述多个接合焊盘形成在所述第一表面上,该晶片的加工方法的特征在于包括:
纤丝形成步骤,将对于晶片具有透过性的波长的脉冲激光光线的聚光点定位在待形成通孔的区域的内部并从所述晶片的第二表面向晶片照射该脉冲激光光线,形成多个从所述第二表面到达各个接合焊盘的非晶质的纤丝,所述多个非晶质的纤丝中的每一个包括从所述晶片的所述第二表面延伸到所述第一表面的一个中心细孔和围绕所述一个中心细孔的非晶质层,对在该纤丝形成步骤中照射的脉冲激光光线进行会聚的聚光镜头的数值孔径NA被设定为0.1~0.3;和
蚀刻步骤,使用对非晶质的纤丝进行蚀刻的蚀刻剂而对形成在晶片上的多个非晶质的纤丝进行蚀刻,从而在晶片上形成多个从所述第二表面到达各个接合焊盘的通孔。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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