[发明专利]晶片的加工方法

说明书

本发明提供晶片的加工方法，能够不产生碎片而在晶片上高效率地形成通孔。该晶片的加工方法，在晶片上形成通孔，该晶片的加工方法包括：纤丝形成步骤，将对于晶片具有透过性的波长的脉冲激光光线的聚光点定位在待形成通孔的区域的内部并向晶片照射该脉冲激光光线，形成非晶质的纤丝；和蚀刻步骤，使用对非晶质的纤丝进行蚀刻的蚀刻剂而对形成在晶片上的非晶质的纤丝进行蚀刻，从而在晶片上形成通孔。

技术领域

本发明涉及在半导体晶片等的晶片上形成通孔的晶片的加工方法。

背景技术

在半导体器件制造过程中，由在大致圆板形状的半导体晶片的表面呈格子状排列的被称为间隔道的分割预定线划分多个区域，在该划分出的区域内形成IC、LSI等的器件。然后，通过将半导体晶片沿着间隔道切断来分割形成有器件的区域，制造出一个个半导体芯片。

为了实现装置的小型化、高功能化，层叠多个器件、使设置在所层叠的器件上的接合焊盘连接的模块结构得到了实用化。该模块结构是这样的结构：在半导体晶片中的设置有接合焊盘的部位形成通孔，在该通孔内嵌入与接合焊盘连接的铜等的导电性材料（例如，参照专利文献1）。

设置在上述的半导体晶片上的通孔一般通过钻孔来形成。然而，设置在半导体晶片上的通孔的直径小，为90μm～300μm，通过钻孔进行的穿孔，具有生产性不良的问题。

为了解决上述问题，提出了这样的晶片的穿孔方法：向在基板的表面形成有多个器件并在该器件上形成有接合焊盘的晶片从基板的背面侧照射脉冲激光光线，高效率地形成到达接合焊盘的通孔（例如，参照专利文献2、专利文献3）。

【专利文献1】日本特开2003－163323号公报

【专利文献2】日本特开2007－67082号公报

【专利文献3】日本特开2007－330985号公报

然而，在从基板的背面侧照射脉冲激光光线来形成到达接合焊盘的通孔时，在形成于基板上的通孔到达接合焊盘的时刻停止脉冲激光光线的照射是困难的，具有接合焊盘熔化而导致孔被打开的问题。

并且，在从基板的背面侧照射脉冲激光光线来形成到达接合焊盘的通孔时，所存在的问题是，围绕通孔的开口部而像焊口那样的宽度是10μm左右且高度20μm～30μm的碎片呈环状堆积，使器件的品质下降，并且在背面以10μm左右的厚度覆盖了环氧树脂等的绝缘膜而成的晶片中，堆积的碎片穿通绝缘膜而使器件的品质下降。

发明内容

本发明是鉴于上述事实而作成的，本发明的主要技术课题是提供一种能够不产生碎片而在晶片上高效率地形成通孔的晶片的加工方法。

为了解决上述主要技术课题，根据本发明，提供了一种晶片的加工方法，在晶片上形成通孔，该晶片的加工方法的特征在于包括：

纤丝形成步骤，将对于晶片具有透过性的波长的脉冲激光光线的聚光点定位在待形成通孔的区域的内部并向晶片照射该脉冲激光光线，形成非晶质的纤丝；和

蚀刻步骤，利用对非晶质的纤丝进行蚀刻的蚀刻剂而对形成在晶片上的非晶质的纤丝进行蚀刻，从而在晶片上形成通孔。

对在上述纤丝形成步骤中照射的脉冲激光光线进行会聚的聚光镜头的数值孔径（NA）被设定为0.1～0.3。

本发明的晶片的加工方法包括：纤丝形成步骤，将对于晶片具有透过性的波长的脉冲激光光线的聚光点定位在待形成通孔的区域的内部进行照射，沿着分割预定线形成非晶质的纤丝；和蚀刻步骤，使用对非晶质的纤丝进行蚀刻的蚀刻剂而对形成在晶片上的非晶质的纤丝进行蚀刻，从而在晶片上形成通孔，因而通过对形成在晶片上的非晶质的纤丝进行蚀刻来形成通孔，因此不会产生碎片，不会使器件的品质下降，并可高效率地形成通孔。