[发明专利]具有多个外部电源的非易失性半导体存储器

权利要求书

1.一种存储器装置，包括：

用于保存数据的非易失性存储器；

用于使得能够对所述非易失性存储器中的数据进行访问的输入/输出逻辑；

用于接收用于给所述输入/输出逻辑提供功率的第一外部电压的第一功率输入引脚；

用于接收用于给所述非易失性存储器提供功率的第二外部电压的第二功率输入引脚；

用于接收第三外部电压的第三功率输入引脚,所述第三外部电压的电平大于所述第二外部电压的电平；

功率管理电路,其用于接收该第二外部电压以及可选的该第三外部电压，并且将该第二外部电压或该第三外部电压转换为不止一个内部电压，所述不止一个内部电压大于所述第三外部电压的电平；以及

其中，至少部分地通过由所述功率管理电路提供的所述不止一个内部电压来使得能够对所述非易失性存储器中的数据进行修改；以及

配置寄存器，其将所述功率管理电路配置为使用所述第二外部电压和所述第三外部电压来提供所述不止一个内部电压。

2.根据权利要求1所述的存储器装置，还包括：装置信息寄存器，其指示所述存储器装置支持使用所述第三外部电压。

3.根据权利要求1所述的存储器装置，其中所述非易失性存储器是闪速存储器。

4.根据权利要求1所述的存储器装置，其中所述非易失性存储器是NAND闪速存储器。

5.根据权利要求1所述的存储器装置，其中所述功率管理电路至少包括不止一个调节器，所述不止一个调节器用于调节所述不止一个内部电压。

6.根据权利要求1所述的存储器装置，其中所述功率管理电路包括第一调节器电路，该第一调节器电路用于：

i)接收所述不止一个内部电压中的一个；以及

ii)生成输出以指示所述不止一个内部电压中的所述一个是否在第一调节内。

7.根据权利要求6所述的存储器装置，其中所述功率管理电路还包括参考发生器电路，该参考发生器电路用于生成要被提供给所述第一调节器电路的参考电压。

8.根据权利要求1所述的存储器装置，其中所述第一外部电压是Vccq，所述第二外部电压是Vcc，以及所述第三外部电压是Vpp。

9.根据权利要求4所述的存储器装置，其中所述不止一个内部电压中的一个是编程电压，其用于编程所述NAND闪速存储器的数据。

10.根据权利要求4所述的存储器装置，其中所述不止一个内部电压中的一个是擦除电压，其用于擦除所述NAND闪速存储器的数据。

11.根据权利要求9所述的存储器装置，其中所述编程电压被施加到所述NAND闪速存储器的所选择的页面，所选择的页面包括编程单元和编程禁止单元。

12.根据权利要求11所述的存储器装置，其中所述编程单元被耦合到具有0V的位线，并且所述编程禁止单元被耦合到具有所述第二外部电压的电平的位线。