[发明专利]具有多个外部电源的非易失性半导体存储器

说明书

本申请为申请号为200880005233.3、申请日为2008年2月12日、发明名称为“具有多个外部电源的非易失性半导体存储器”的申请的分案申请。

背景技术

当今，许多电子装置包括存储器系统以保存信息。例如，一些存储器系统保存数字化的音频或者视频信息以便由相应的媒体播放器来重放。其它存储器系统保存软件和相关的信息以执行不同类型的处理功能。

在许多电子装置中，存储器系统通常包括控制器和一个或者多个对应的闪速存储器装置。该控制器典型地包括配置成产生信号到该存储器装置以便保存和检索来自该闪速存储器装置的数据的电路。

常规的闪速存储器装置典型地包括单个功率输入引脚以接收来自外部电源的功率。通常以诸如3.3伏的所选的电压电平接收功率。因为与闪速存储器相关联的存取和编程操作要求不同的电压，所以闪速存储器装置典型地被配置成包括一个或者多个功率电压转换器以产生对于操作该闪速存储器装置所必需的任意内部电压。例如，常规的闪速存储器装置典型地包括功率转换器电路以将3.3伏的输入转换成其它内部使用的电压，例如5伏、7伏、12伏等等。

附图说明

通过例子，将参考附图，其中：

图1是根据这里的实施例的包括多个功率输入端的存储器装置的实例图；

图2是根据这里的实施例的包括多个功率输入端和电压的交叉共享的存储器装置的实例图；

图3是根据这里的实施例的包括用于选择产生内部电压的输入功率源的检测器电路的存储器装置的实例图；

图4是说明根据这里的实施例的存储器装置和对应的实例性组件的实例图；

图5是根据这里的实施例的包括一个或多个存储器装置的存储器系统的实例图；

图6是说明电压转换器电路的实例图；

图7是说明根据这里的实施例的功率管理电路的实例图；

图8是说明关于存储器单元的擦除操作的实例图；

图9是说明单元编程操作的实例图；

图10是说明被擦除的单元的读取的实例图；

图11是说明被编程的单元的读取的实例图；

图12是说明在读取页期间的偏置条件的实例图；

图13是说明块擦除操作的实例图；

图14是说明页编程操作的实例图；

图15是说明页编程偏置条件的实例图；

图16是说明块解码器的实例图；和

图17-19是根据这里的实施例的与一个或多个存储器装置和/或存储器系统相关联的实例性方法。

具体实施方式

在常规的存储器装置中存在与产生内部功率信号相关联的某些不足。例如，如上讨论的，常规存储器装置现在使用例如3.3伏的单个初级输入电压，以便给存储器装置中的闪速存储器提供功率。在内部，该3.3伏的输入被转换成多个较高电压电平，其被使用于例如从闪速存储器读取数据、编程该闪速存储器、擦除该闪速存储器等操作。

为了将该初级输入电压转换成较高电压，常规的存储器装置典型地包括一个或者多个所谓的电荷泵电路。在操作期间，一个或者多个电荷泵的每一个将该初级输入电压(即3.3伏)转换成特定的较高电压电平以便被该闪速存储器使用以执行不同的存储器操作。

通常，电荷泵的转换效率对于在输入电压和所产生的输出电压之间的较大差异呈指数地变差。例如，将3.3伏的输入转换成20伏的输出的电荷泵的转换效率低于将3.3伏的输入转换成7伏的输出的电荷泵的转换效率。

当前存在生产在越来越低的电压下操作的电路装置的趋势。例如，之前的技术要求5伏的电源以操作对应的存储器装置的核心存储器。如上提及的，常规的闪速存储器装置的技术当前要求3.3伏的电源以便给对应的核心存储器提供功率。期望未来的存储器装置将在例如1.8伏的输入或者甚至更低的功率源下操作。当前，执行关于核心存储器的存储器操作所要求的高电压没有随着为核心存储器提供功率所要求的电压成比例减小。换句话说，即便核心存储器在例如1.8伏的较低电压下操作，该核心存储器可能仍然要求在5和20伏之间范围的电压以便执行存储器操作。

配置核心闪速存储器在例如1.8伏(或者甚至更低)的低电压下操作，这降低了给该核心存储器装置提供功率所花费的功率量。然而，将该低或较低的电压输入(例如1.8伏)转换成例如在5和20伏之间的相同范围的较高电压以便能够使存储器操作，这将导致减小转换器效率、提高将1.8伏转换成较高电压的范围所要求的相应电荷泵电路的尺寸和复杂度的负面影响，和/或降低存储器装置的读取/编程/擦除性能。