[发明专利]21个短串联重复序列的复合扩增体系及试剂盒

权利要求书

1.短串联重复序列的复合扩增体系，该复合扩增体系中包括20对引物，可同时扩增20个STR位点：D2S441、D2S1338、D3S1358、D5S818、D6S1043、D7S820、D8S1179、D12S391、D13S317、D16S539、D18S51、D19S433、D21S11、CSF1PO、FGA、Penta D、Penta E、TH01、TPOX和vWA，所述的20对引物分别为： 

扩增D19S433的上游引物D19S433-f如SEQ ID NO1所示， 

扩增D19S433的下游引物D19S433-r如SEQ ID NO2所示； 

扩增D5S818的上游引物D5S818-f如SEQ ID NO3所示， 

扩增D5S818的下游引物D5S818-r如SEQ ID NO4所示 

扩增D21S11的上游引物D21S11-f如SEQ ID NO5所示 

扩增D21S11的上游引物D21S11-r如SEQ ID NO6所示 

扩增D18S51的上游引物D18S51-f如SEQ ID NO7所示， 

扩增D18S51的下游引物D18S51-r如SEQ ID NO8所示； 

扩增D6S1043的上游引物D6S1043-f如SEQ ID NO9所示， 

扩增D6S1043的下游引物D6S1043-r如SEQ ID NO10所示； 

扩增D3S1358的上游引物D3S1358-f如SEQ ID NO11所示， 

扩增D3S1358的下游引物D3S1358-r如SEQ ID NO12所示； 

扩增D13S317的上游引物D13S317-f如SEQ ID NO13所示， 

扩增D13S317的下游引物D13S317-r如SEQ ID NO14所示； 

扩增D7S820的上游引物D7S820-f如SEQ ID NO15所示， 

扩增D7S820的下游引物D7S820-r如SEQ ID NO16所示； 

扩增D16S539的上游引物D16S539-f如SEQ ID NO17所示， 

扩增D16S539的下游引物D16S539-r如SEQ ID NO18所示； 

扩增CSF1PO的上游引物CSF1PO-f如SEQ ID NO19所示， 

扩增CSF1PO的下游引物CSF1PO-r如SEQ ID NO20所示； 

扩增Penta D的上游引物Penta D-f如SEQ ID NO21所示， 

扩增Penta D的下游引物Penta D-r如SEQ ID NO22所示； 

扩增D2S441的上游引物D2S441-f如SEQ ID NO23所示， 

扩增D2S441的下游引物D2S441-r如SEQ ID NO24所示； 

扩增vWA的上游引物vWA-f如SEQ ID NO25所示， 

扩增vWA的下游引物vWA-r如SEQ ID NO26所示； 

扩增D8S1179的上游引物D8S1179-f如SEQ ID NO27所示， 

扩增D8S1179的下游引物D8S1179-r如SEQ ID NO28所示； 

扩增TPOX的上游引物TPOX-f如SEQ ID NO29所示， 

扩增TPOX的下游引物TPOX-r如SEQ ID NO30所示； 

扩增Penta E的上游引物Penta E-f如SEQ ID NO31所示， 

扩增Penta E的下游引物Penta E-r如SEQ ID NO32所示； 

扩增TH01的上游引物TH01-f如SEQ ID NO33所示， 

扩增TH01的下游引物TH01-r如SEQ ID NO34所示； 

扩增D12S391的上游引物D12S391-f如SEQ ID NO35所示， 

扩增D12S391的下游引物D12S391-r如SEQ ID NO36所示； 

扩增D2S1338的上游引物D2S1338-f如SEQ ID NO37所示， 

扩增D2S1338的下游引物D2S1338-r如SEQ ID NO38所示； 

扩增FGA的上游引物FGA-f如SEQ ID NO39所示， 

扩增FGA的下游引物FGA-r如SEQ ID NO40所示。