[发明专利]电路装置及电子设备

权利要求书

1.一种电路装置，其特征在于，包括：

第一电路，其通过双扩散金属氧化物半导体结构的晶体管而构成，所述双扩散金属氧化物半导体结构的晶体管被形成于P型基板上的第一N型埋入层上；以及

第二电路，其通过互补金属氧化物半导体结构的晶体管而构成，所述互补金属氧化物半导体结构的晶体管被形成于与所述第一N型埋入层分离的第二N型埋入层上，

所述第二电路的区域被N型插塞区域包围，所述N型插塞区域对所述第二N型埋入层的电位进行设定，

所述电路装置被构成为，所述第一N型埋入层的电位发生变动，所述第二N型埋入层被施加比所述P型基板更高的电位。

2.如权利要求1所述的电路装置，其特征在于，

所述互补金属氧化物半导体结构的晶体管被形成于P型层上，所述P型层被形成于所述第二N型埋入层上。

3.如权利要求2所述的电路装置，其特征在于，

所述P型层为P型埋入层。

4.如权利要求3所述的电路装置，其特征在于，

包括：

焊垫，其供给所述P型基板的电位；

第一布线，其从所述焊垫向所述P型层供给电位；以及

第二布线，其从所述焊垫向所述P型基板供给电位。

5.如权利要求4所述的电路装置，其特征在于，

所述互补金属氧化物半导体结构的晶体管的P型晶体管通过形成于所述P型层上的N型阱、形成于所述N型阱上的P型源极区域、以及形成于所述N型阱上的P型漏极区域而构成，

所述互补金属氧化物半导体结构的晶体管的N型晶体管通过形成于所述P型层上的P型阱、形成于所述P型阱上的N型源极区域、以及形成于所述P型阱上的N型漏极区域而构成。

6.如权利要求5所述的电路装置，其特征在于，

所述双扩散金属氧化物半导体结构的晶体管的N型晶体管具有：

深N型阱，其被形成于所述第一N型埋入层上；

P型层，其被形成于所述深N型阱上；

N型源极区域，其被形成于所述P型层上；以及

N型漏极区域，其被形成于所述深N型阱上。

7.如权利要求6所述的电路装置，其特征在于，

所述双扩散金属氧化物半导体结构的晶体管的P型晶体管具有：

深N型阱，其被形成于所述第一N型埋入层上；

P型层，其被形成于所述深N型阱上；

P型源极区域，其被形成于所述深N型阱上；以及

P型漏极区域，其被形成于所述P型层上。

8.如权利要求7所述的电路装置，其特征在于，

所述第一电路具有桥接电路，所述桥接电路输出用于驱动电机的截断电流，

所述第二电路具有检测电路，所述检测电路对流通于所述桥接电路的电流进行检测。

9.如权利要求8所述的电路装置，其特征在于，

所述检测电路具有：

基准电压生成电路，其生成基准电压；

电压检测电路，其将基于所述电流的电压与所述基准电压进行比较；以及

控制电路，其根据所述电压检测电路的比较结果来控制所述桥接电路。

10.如权利要求1所述的电路装置，其特征在于，

所述第二电路具有对所述第一电路进行控制的电路、或对所述第一电路的电压或电流进行检测的电路。

11.如权利要求1所述的电路装置，其特征在于，

所述第一电路为实施对输出电流或输出电压反复进行开关的动作的电路。

12.一种电子设备，其特征在于，包括：

权利要求1至11中任一项所述的电路装置。