[发明专利]电路装置及电子设备

说明书

技术领域

本发明涉及一种电路装置及电子设备。

背景技术

已知一种方法，即，作为用于驱动直流电机的电机驱动器，通过控制截断电流从而控制电机的转速。在该方法中，通过检测电阻来对流通于桥接电路的电流进行电流/电压转换，通过将该电压与基准电压进行比较从而对截断电流进行检测。并且，将该检测结果反馈给控制电路，通过对桥接电路的驱动信号进行PWM（脉冲宽度调制）控制，从而使电机以恒定的速度进行旋转。

例如，专利文献1公开了一种在这种电机驱动器中提高截断电流的检测精度的技术。在该方法中，针对于H桥的每个半桥而设置检测电阻，并通过一个电阻来检测充电期间的电流达到了预定的电流的情况，通过另一个电阻来检测衰减期间内的电流达到了预定的电流的情况。

不仅是上述电机驱动器，在用于进行开关动作的电路中，由于通过开关动作而反复进行电流的导通/截止，从而也存在基板电位发生变动的课题。该基板电位的变动有可能会影响到构成于该基板上的电路的动作。

例如在上述这种电机驱动器中，由于为了对电机进行驱动，除了需要大电流，还通过截断动作从而反复实施电流的导通/截止，因此电机驱动器的基板电位发生变动。由于构成在基板上的基准电压生成电路或电压检测电路受到电位变动的影响，因此截断电流的检测值存在偏差，从而导致控制为恒定的电机的转速的精度降低的问题。

专利文献1：日本特开2008-042975号公报

发明内容

根据本发明的几个方式，能够提供一种电路装置及电子设备，其能够减小基板电位的变动对电路动作的影响。

本发明的一个方式涉及一种电路装置，包括：第一电路，其通过DMOS（双扩散金属氧化物半导体）结构的晶体管而构成，所述DMOS结构的晶体管被形成于P型基板上的第一N型埋入层上；以及第二电路，其通过CMOS（互补金属氧化物半导体）结构的晶体管而构成，所述CMOS结构的晶体管被形成于与所述第一N型埋入层分离的第二N型埋入层上。

根据本发明的一个方式，由CMOS结构的晶体管构成的第二电路被形成于与第一N型埋入层分离的第二N型埋入层上，从而第二电路通过第二N型埋入层而与P型基板隔离。由此，能够减小基板电位的变动对电路动作的影响。

另外，在本发明的一个方式中，可以采用如下方式，即，所述第二电路的区域被N型插塞区域所包围，所述N型插塞区域对所述第二N型埋入层的电位进行设定插塞插塞。

如此，通过第二N型埋入层与包围该第二N型埋入层的N型插塞区域，从而能够将第二电路与P型基板隔离。此外，由于通过N型插塞区域而设定N型埋入层的电位，因此能够将第二电路与P型基板电隔离。

另外，在本发明的一个方式中，可以采用如下方式，即，所述CMOS结构的晶体管被形成于P型层上，所述P型层被形成于所述第二N型埋入层上。

如此，通过第二N型埋入层，从而能够形成与P型基板41隔离的P型层，并能够在该被隔离的P型层上构成由CMOS结构的晶体管构成的第二电路。

另外，在本发明的一个方式中，可以采用如下方式，即，所述P型层为外延层。

如此，通过在第二N型埋入层上形成外延层，从而能够形成P型埋入层以作为与P型基板隔离的P型层。

另外，在本发明的一个方式中，可以采用如下方式，即，包括：焊垫，其供给所述P型基板的电位；第一布线，其从所述焊垫向所述P型层供给电位；以及第二布线，其从所述焊垫向所述P型基板供给电位。

如此，相对于与P型基板隔离的P型层，能够通过其他布线（第一布线）供给电位。由此，能够抑制电位变动通过布线而从P型基板传递到P型层的情况。

另外，在本发明的一个方式中，可以采用如下方式，即，所述CMOS结构的晶体管的P型晶体管通过形成于所述P型层上的N型阱、形成于所述N型阱上的P型源极区域、以及形成于所述N型阱上的P型漏极区域而构成，所述CMOS结构的晶体管的N型晶体管通过形成于所述P型层上的P型阱、形成于所述P型阱上的N型源极区域、以及形成于所述P型阱上的N型漏极区域而构成。

如此，能够在与第一N型埋入层分离的第二N型埋入层上，形成由CMOS结构的N型晶体管与CMOS结构的P型晶体管构成的第二电路。

另外，在本发明的一个方式中，可以采用如下方式，即，所述DMOS结构的晶体管的N型晶体管具有：深N型阱，其被形成于所述第一N型埋入层上；P型层，其被形成于所述深N型阱上；N型源极区域，其被形成于所述P型层上；以及N型漏极区域，其被形成于所述深N型阱上。