[发明专利]存储器及其驱动电路

权利要求书

1.一种存储器的驱动电路，其特征在于，包括：电平移位单元及衬底偏置单元；

所述电平移位单元包括适于输入访问电平的第一节点、适于输入衬底偏置电平的第二节点及适于输出驱动电平的第三节点，所述第三节点连接至所述存储器中的字线或位线；

所述衬底偏置单元适于提供所述衬底偏置电平，所述衬底偏置电平小于所述访问电平；

所述电平移位单元包括：第一PMOS管、第二PMOS管、第一NMOS管和第二NMOS管；

所述第一PMOS管和第二PMOS管源极相连至所述第一节点，衬底相连至所述第二节点；所述第一NMOS管的栅极连接至一高压电平，其衬底与所述第二NMOS管的源极及衬底相连至地，所述第一NMOS管的源极和第二NMOS管的栅极相连至一可变电平，所述可变电平在所述访问电平有效时为低压电平；

所述第一PMOS管的漏极及第一NMOS管的漏极相连至所述第二PMOS管的栅极，所述第二PMOS管的漏极、第二NMOS管的漏极及第一PMOS管的栅极连接至所述第三节点。

2.如权利要求1所述的存储器的驱动电路，其特征在于，所述访问电平为编程电平或读取电平时有效。

3.如权利要求1所述的存储器的驱动电路，其特征在于，所述衬底偏置电平与访问电平的差值范围为0.6V～0.8V。

4.如权利要求1所述的存储器的驱动电路，其特征在于，所述衬底偏置单元包括：压降单元及泄放单元；

所述压降单元的一端适于连接所述访问电平以接收所述访问电平，另一端适于在所述访问电平有效时提供所述衬底偏置电平；

所述泄放单元适于在所述访问电平失效时实现所述衬底偏置电平的泄放。

5.如权利要求4所述的存储器的驱动电路，其特征在于，所述压降单元包括：第三NMOS管；

所述第三NMOS管的漏极适于连接所述访问电平，源极适于提供所述衬底偏置电平，栅极连接至第一控制电平；所述第一控制电平在所述访问电平有效时为高电平。

6.如权利要求4所述的存储器的驱动电路，其特征在于，所述泄放单元包括：第四NMOS管；

所述第四NMOS管的漏极连接至所述压降单元的衬底偏置电平提供端，源极至地，栅极连接至第二控制电平；所述第二控制电平在所述访问电平失效时为高电平。

7.如权利要求6所述的存储器的驱动电路，其特征在于，所述泄放单元还包括：二极管连接的第五NMOS管；所述第四NMOS管的漏极通过所述第五NMOS管连接至所述衬底偏置电平提供端。

8.如权利要求5所述的存储器的驱动电路，其特征在于，所述泄放单元还包括：第四NMOS管；

所述第四NMOS管的漏极连接至所述压降单元的衬底偏置电平提供端，源极至地，栅极连接至第二控制电平；所述第二控制电平在所述访问电平失效时为高电平。

9.如权利要求8所述的存储器的驱动电路，其特征在于，所述衬底偏置单元还包括：控制单元；

所述控制单元适于提供所述第一控制电平与第二控制电平，所述第二控制电平为第一控制电平的反相电平。

10.一种存储器，其特征在于，包括：存储阵列及如权利要求1至8任一项所述的驱动电路；

所述存储阵列包括字线和位线，所述驱动电路适于根据所述访问电平在所述字线或位线上加载相应驱动电平。

11.如权利要求10所述的存储器，其特征在于，所述电平移位单元有多个，包括第一类电平移位单元和第二类电平移位单元，所述第一类电平移位单元对应并通过其第三节点连接至一条字线，所述第二类电平移位单元对应并通过其第三节点连接至一条位线。