[发明专利]用于无内嵌式SiGe的HKMG技术中的改良型硅化物形成

权利要求书

1.一种形成经调整以形成为P通道FET的半导体结构的方法，该方法包含：

形成包含至少一主动区的半导体层，该半导体层包含上表面；

在该半导体层的该上表面上沉积半导体合金层；

在该半导体合金层上形成栅极电极结构；

在该半导体层的该至少一主动区中形成源极与漏极扩展区；

在该半导体层的该至少一主动区中形成该源极与漏极扩展区之后，移除该半导体合金层的一或多个预定部分，以便曝露该半导体层的一或多个表面部分；以及

形成与该半导体层具有界面的金属硅化物层，该金属硅化物层是在移除该半导体合金层的该一或多个预定部分之后形成。

2.如权利要求1所述的方法，其中该半导体层包含硅。

3.如权利要求1所述的方法，其中该半导体合金层包含硅/锗合金。

4.如权利要求1所述的方法，其中该半导体合金层具有范围6至10纳米的厚度。

5.如权利要求1所述的方法，其中自该半导体合金层移除该一或多个预定部分包含该半导体合金层未位于该栅极结构下面的一或多个部分。

6.如权利要求1所述的方法，其中移除该半导体合金层的该一或多个预定部分的该步骤包括进行等向性蚀刻。

7.如权利要求1所述的方法，更包括于移除该半导体合金层的该一或多个预定部分的该步骤之后形成深源极与漏极区以及沉积耐火层之前进行，该深源极与漏极区各自延伸至该源极与漏极扩展区下方。

8.如权利要求1所述的方法，其中该半导体合金层的该一或多个预定移除部分包含该半导体合金层直接位在该源极区与该漏极区上的所有部分。

9.如权利要求1所述的方法，更包含在该半导体层的该一或多个曝露表面部分上沉积耐火金属层，沉积该耐火金属层的该步骤是在移除该半导体合金层的该一或多个预定部分的该步骤之后以及形成该金属硅化物层的该步骤之前进行。

10.如权利要求1所述的方法，更包含在该半导体结构的表面上沉积受应力材料层，该受应力材料层的该沉积是在形成该金属硅化物层的该步骤之后进行。

11.如权利要求10所述的方法，其中沉积受应力材料层的该步骤后进行UV固化。

12.如权利要求1所述的方法，更包含在该半导体结构的表面上沉积介电材料层，该介电材料层的该沉积是在形成该金属硅化物层的该步骤之后进行。

13.如权利要求1所述的方法，更包含形成曝露该金属硅化物层的预定部分的多个贯孔开口。

14.如权利要求13所述的方法，更包含用一或多种导电材料填充该多个开口的该开口。