[发明专利]一种多端口寄存器堆存储单元在审
| 申请号： | 201410077924.1 | 申请日： | 2014-03-05 |
| 公开（公告）号： | CN103915108A | 公开（公告）日： | 2014-07-09 |
| 发明（设计）人： | 虞志益;张星星;李毅;熊保玉;韩军;张章;韩军;程旭;曾晓洋 | 申请（专利权）人： | 复旦大学 |
| 主分类号： | G11C7/18 | 分类号： | G11C7/18;G11C7/00 |
| 代理公司： | 上海正旦专利代理有限公司 31200 | 代理人： | 陆飞;盛志范 |
| 地址： | 200433 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 多端 寄存器 存储 单元 | ||
【权利要求书】：
1. 一种多端口寄存器堆存储单元，其特征在于，由8个NMOS管和2个PMOS管构成，其中，4个NMOS管和2个PMOS管构成耦合反相器，用于存储数据，另外4个NMOS管为读写晶体管，其布局布线方式为：对应于所述寄存器堆存储单元的具有N阱，多晶硅层，有源区层，CT和M1的版图；故该寄存器堆单元，具有上下对称和左右对称的结构。
2. 根据权利要求1所述的寄存器堆存储单，其特征在于：同一行存储单元共享读或写晶体管的栅端，同一列存储单元共享读或写晶体管的漏端。
3. 根据权利要求1所述的寄存器堆存储单元，其特征在于：构成耦合反相器的6个晶体管只采用两条多晶硅栅。
4. 根据权利要求1所述的寄存器堆存储单元，其特征在于：耦合反相器中的两个PMOS晶体管共用漏端有源区，耦合反相器中的四个NMOS管和四个读写晶体管共用源端有源区。
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