[发明专利]半导体器件

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

半导体芯片；

延伸层，其从所述半导体芯片的边界横向延伸；

再分布层，其布置在所述延伸层和所述半导体芯片的至少一侧之上，其中所述再分布层将所述半导体芯片的至少一个接触部电耦合到接口的至少一个接触部，其中所述接口的至少一部分横向延伸超出所述半导体芯片的所述边界。

2.如权利要求1所述的半导体器件，其中所述接口的所述至少一个接触部至少部分地布置在所述半导体芯片的所述边界的外部。

3.如权利要求1所述的半导体器件，其中所述接口是标准化接口。

4.如权利要求3所述的半导体器件，其中所述标准化接口是标准化芯片到芯片接口。

5.如权利要求3所述的半导体器件，其中所述标准化接口包括标准化几何尺寸。

6.如权利要求3所述的半导体器件，其中所述半导体芯片的长度小于所述标准化接口的长度。

7.如权利要求1所述的半导体器件，其中所述延伸层由不同于所述半导体芯片的材料构成。

8.如权利要求2所述的半导体器件，其中所述再分布层包括与所述接口的、至少部分地布置在所述半导体芯片的所述边界的外部的至少一个接触部相耦合的至少一个接触部。

9.如权利要求8所述的半导体器件，其中所述再分布层还包括与所述接口的、布置在所述半导体芯片的所述边界的内部的至少一个接触部相耦合的至少一个接触部。

10.如权利要求1所述的半导体器件，其中所述再分布层布置在所述半导体芯片的背面之上。

11.如权利要求10所述的半导体器件，其中所述延伸层布置在所述半导体芯片的、位于所述半导体芯片和所述再分布层之间的所述背面之上。

12.如权利要求11所述的半导体器件，其中所述延伸层包括使所述半导体芯片的至少一个接触部与所述再分布层电耦合的至少一个穿通过孔。

13.如权利要求1所述的半导体器件，其中所述再分布层包括布置在所述半导体芯片的第一侧之上的第一部分和布置在所述半导体芯片的与所述第一侧相对的第二侧之上的第二部分。

14.如权利要求13所述的半导体器件，

其中所述再分布层的所述第一部分包括与所述接口的、至少部分地布置在所述半导体芯片的所述边界的外部的至少一个接触部相耦合的至少一个接触部，

其中所述延伸层包括使所述再分布层的所述第一部分与所述再分布层的所述第二部分电耦合的至少一个穿通过孔。

15.如权利要求14所述的半导体器件，

其中所述半导体芯片包括布置在所述半导体芯片的所述第二侧之上并与所述再分布层的所述第二部分电耦合的至少一个接触部。

16.如权利要求15所述的半导体器件，其中所述第一侧是所述半导体芯片的背面，而所述第二侧是所述半导体芯片的正面。

17.如权利要求1所述的半导体器件，其中所述延伸层至少部分地包封所述半导体芯片。

18.如权利要求1所述的半导体器件，其中所述半导体芯片是第一半导体芯片，所述半导体器件还包括具有所述接口的第二半导体芯片，其中所述第二半导体芯片经由所述接口电耦合到所述第一半导体芯片。

19.如权利要求18所述的半导体器件，

其中所述第一半导体芯片是逻辑芯片，且所述第二半导体芯片是存储器芯片。

20.如权利要求18所述的半导体器件，还包括布置在所述第二半导体芯片的背离所述第一半导体芯片的一侧之上并且电耦合到所述第二半导体芯片的至少一个额外的半导体芯片。