[发明专利]用于嵌入式快闪存储器的内建自测试方法及装置有效
申请号: | 201410078732.2 | 申请日: | 2014-03-05 |
公开(公告)号: | CN103839592B | 公开(公告)日: | 2017-06-06 |
发明(设计)人: | 任栋梁;钱亮 | 申请(专利权)人: | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
主分类号: | G11C29/12 | 分类号: | G11C29/12 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司11227 | 代理人: | 骆苏华 |
地址: | 201203 上海市浦东*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 嵌入式 闪存 测试 方法 装置 | ||
1.一种用于嵌入式快闪存储器的内建自测试方法,包括:第一探查步骤、模拟老化步骤、第二探查步骤,其特征在于,所述第一探查步骤包括:
生成原始测试数据;
获取测试数据变换规则;
根据所述原始测试数据和所述变换规则,生成变换后数据,所述变换规则具体为:变换后数据=0xff-原始测试数据,其中,0xff为全1序列;
将所述原始测试数据和所述变换后数据分别写入闪存模块中nvr阵列的第0行和第1行,不保存写入的数据;
所述第二探查步骤包括:
分别读取所述闪存模块中nvr阵列的第0行和第1行的数据;
基于从第0行和第1行读取的数据,判断所述闪存模块是否通过测试,具体是:只根据读取的数据来判断出是否测试通过,判断过程中不将读取的数据与写入的数据进行对比,将从第0行和第1行读取的数据相加,若相加后结果为0xff,则测试通过,若相加后结果为0xff以外的任何值,则测试未通过。
2.如权利要求1所述的用于嵌入式快闪存储器的内建自测试方法,其特征在于,所述nvr阵列为nvr1阵列或nvr2阵列,所述nvr阵列包括第0行和第1行,所述第0行和所述第1行的容量均为256字节或128字节。
3.一种用于嵌入式快闪存储器的内建自测试装置,包括:第一探查模块、模拟老化模块、第二探查模块,其特征在于,所述第一探查模块包括:第一数据生成子模块、变换规则获取子模块、第二数据生成子模块、数据写入子模块;所述第二探查模块包括:数据读取子模块、判断子模块,其中:
所述第一数据生成子模块,用于生成原始测试数据;
所述变换规则获取子模块,用于获取变换规则,所述变换规则获取子模块所获取的变换规则具体为:变换后数据=0xff-原始测试数据,其中,0xff为全1序列;
所述第二数据生成子模块,用于在所述第一数据生成子模块和所述变换规则获取子模块执行操作之后,根据所述原始测试数据和所述变换规则,生成变换后数据;
所述数据写入子模块,用于在所述第二数据生成子模块执行操作之后,将所述原始测试数据和所述变换后数据分别写入闪存模块中nvr阵列的第0行和第1行,不保存写入的数据;
所述数据读取子模块,用于在所述模拟老化模块执行操作之后,分别读取所述闪存模块中nvr阵列的第0行和第1行的数据;
所述判断子模块,用于在所述数据读取子模块执行操作之后,基于从第0行和第1行读取的数据,判断所述闪存模块是否通过测试,所述判断子模块具体通过以下方式来判断所述闪存模块是否通过测试:只根据读取的数据来判断出是否测试通过,判断过程中不将读取的数据与写入的数据进行对比,将从第0行和第1行读取的数据相加,若相加后结果为0xff,则测试通过,若相加后结果为0xff以外的任何值,则测试未通过。
4.如权利要求3所述的用于嵌入式快闪存储器的内建自测试装置,其特征在于,所述nvr阵列为nvr1阵列或nvr2阵列,所述nvr阵列包括第0行和第1行,所述第0行和所述第1行的容量均为256字节或128字节。
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