[发明专利]芯片的测试电路及其测试方法有效
| 申请号： | 201410078915.4 | 申请日： | 2014-03-05 |
| 公开（公告）号： | CN103809111A | 公开（公告）日： | 2014-05-21 |
| 发明（设计）人： | 钱亮 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | G01R31/30 | 分类号： | G01R31/30 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 吴靖靓;骆苏华 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 芯片 测试 电路 及其 方法 | ||
1.一种芯片的测试电路，其特征在于，包括：
电源电压提供单元，适于获得核心电源电压；
输入焊盘，适于输入基准电压；
电压比较单元，适于获得所述核心电源电压和基准电压的电压值比较结果；
输出焊盘，适于输出所述电压值比较结果。
2.如权利要求1所述的芯片的测试电路，其特征在于，还包括：性能测试单元，适于检测所述芯片的核心电路在所述核心电源电压下的性能参数。
3.如权利要求2所述的芯片的测试电路，其特征在于，所述芯片为Flash，所述性能参数为所述核心电路在所述核心电源电压下进行擦除、写或读取操作时的性能参数。
4.如权利要求1所述的芯片的测试电路，其特征在于，所述电源电压提供单元为LDO电路。
5.如权利要求1所述的芯片的测试电路，其特征在于，所述电源电压提供单元适于根据所述芯片的电源电压获得核心电源电压。
6.一种使用权利要求1所述芯片的测试电路的测试方法，其特征在于，包括：
对输入焊盘施加基准电压；
改变电源电压提供单元获得的核心电源电压的电压值；
检测输出焊盘输出的电压值比较结果；
在当前电压值比较结果较前一电压值比较结果发生变化时，检测所述芯片的核心电路在所述核心电源电压下的性能参数。
7.如权利要求6所述的测试方法，其特征在于，所述电压值比较结果包括第一阈值和第二阈值，所述当前电压值比较结果较前一电压值比较结果发生变化包括：当前电压值为第一阈值且前一电压值比较结果为第二阈值，或者当前电压值为第二阈值且前一电压值比较结果为第一阈值。
8.如权利要求6所述的测试方法，其特征在于，所述芯片为Flash，所述性能参数为所述核心电路在所述核心电源电压下进行擦除、写或读取操作时的性能参数。
9.如权利要求6所述的测试方法，其特征在于，所述电源电压提供单元为LDO电路，所述改变所述电源电压提供单元获得的核心电源电压的电压值包括：使用所述LDO电路的校正功能改变所述核心电源电压的电压值。
10.如权利要求6所述的测试方法，其特征在于，还包括：在当前电压值比较结果较前一电压值比较结果未发生变化时，继续改变所述核心电源电压的电压值。
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