[发明专利]芯片的测试电路及其测试方法

说明书

技术领域

本发明涉及集成电路领域，尤其涉及一种芯片的测试电路及其测试方法。

背景技术

影响SoC设计成败的因素很多，影响SoC良率的关键因素已经成为嵌入式Flash的良率问题。为了提高嵌入式Flash的良率，保证Flash核心电路（IP核）的性能和可测性，需要从测试入手，通过外部设备高效的测试嵌入式Flash。

对SoC芯片进行测试，实质上是对嵌入式Flash IP核的测试。在IC设计之初，就需要对嵌入式Flash IP核的性能进行测试、分析与论证，保证芯片满足实际需要。

Flash IP核的电源电压由低压差线性稳压器（low dropout regulator，LDO）提供，LDO根据芯片的电源电压产生稳定的Flash IP核的电源电压，当芯片的电源电压发生变化时，LDO可以维持Flash IP核的电源电压不变。

为了测试Flash IP核在不同电源电压下的性能，现有技术存在一种停止使用LDO（by pass LDO）输出Flash IP核的电源电压的测试方法，即直接使用芯片的电源电压为Flash IP核供电，通过改变芯片的电源电压达到改变FlashIP核的电源电压的目的。为了防止Flash IP核被过高的电源电压损坏，就需要降低芯片的电源电压。但是，降低芯片的电源电压会降低芯片的IO（外围）电路的驱动能力。

发明内容

本发明解决的问题是，现有Flash IP核的测试方法会降低芯片的IO电路的驱动能力。

为解决上述问题，本发明提供一种芯片的测试电路，包括：

电源电压提供单元，适于获得核心电源电压；

输入焊盘，适于输入基准电压；

电压比较单元，适于获得所述核心电源电压和基准电压的电压值比较结果；

输出焊盘，适于输出所述电压值比较结果。

所述芯片的测试电路还包括：性能测试单元，适于检测所述芯片的核心电路在所述核心电源电压下的性能参数。

所述芯片为Flash，所述性能参数为所述核心电路在所述核心电源电压下进行擦除、写或读取操作时的性能参数。

所述电源电压提供单元为LDO电路。

所述电源电压提供单元适于根据所述芯片的电源电压获得核心电源电压。

本发明还提供一种使用上述芯片的测试电路的测试方法，包括：

对输入焊盘施加基准电压；

改变电源电压提供单元获得的核心电源电压的电压值；

检测输出焊盘输出的电压值比较结果；

在当前电压值比较结果较前一电压值比较结果发生变化时，检测所述芯片的核心电路在所述核心电源电压下的性能参数。

所述电压值比较结果包括第一阈值和第二阈值，所述当前电压值比较结果较前一电压值比较结果发生变化包括：当前电压值为第一阈值且前一电压值比较结果为第二阈值，或者当前电压值为第二阈值且前一电压值比较结果为第一阈值。

所述芯片为Flash，所述性能参数为所述核心电路在所述核心电源电压下进行擦除、写或读取操作时的性能参数。

所述电源电压提供单元为LDO电路，所述改变所述电源电压提供单元获得的核心电源电压的电压值包括：使用所述LDO电路的校正功能改变所述核心电源电压的电压值。

所述测试方法还包括：在当前电压值比较结果较前一电压值比较结果未发生变化时，继续改变所述核心电源电压的电压值。

与现有技术相比，本发明技术方案提供的测试电路可以直接通过输出焊盘输出基准电压和核心电源电压的电压值比较结果，通过电压值比较结果可以获得核心电源电压的电压值。在当前电压值比较结果较前一电压值比较结果发生变化时，即核心电源电压与输出基准电压的电压值相等，检测所述芯片的核心电路的性能参数。这样无需降低芯片的电源电压，芯片的核心电路使用核心电源电压进行测试，并且也无需检测核心电源电压的电压值，只需在电压值比较结果发生变化时进行测试，这对于在有限量测硬件单元和低端测试机上可以实现高速高效的同测方案，极大的提高了检测效率。

附图说明

图1是本发明实施例的测试电路的一结构示意图；

图2是本发明实施例的测试电路的另一结构示意图；

图3是本发明实施例的测试方法的流程示意图。

具体实施方式

为使本发明的上述目的、特征和优点能够更为明显易懂，下面结合附图对本发明的具体实施例做详细的说明。