[发明专利]有机发光二极管显示器及其制造方法有效
申请号: | 201410079038.2 | 申请日: | 2014-03-05 |
公开(公告)号: | CN104218053B | 公开(公告)日: | 2020-01-03 |
发明(设计)人: | 李清;吴相宪 | 申请(专利权)人: | 三星显示有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/56 |
代理公司: | 11018 北京德琦知识产权代理有限公司 | 代理人: | 于会玲;康泉 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 无机层 有机发光二极管显示器 柔性基板 有机发光二极管 薄膜封装层 边缘接合 显示图像 偏光膜 外边缘 附接 毯状 显示器 扩散 延伸 覆盖 配置 制造 | ||
1.一种有机发光二极管显示器,包括:
柔性基板;
第一无机层,覆盖所述柔性基板的整个上表面;
显示单元,形成在所述第一无机层的第一部分上而使所述第一无机层的第二部分暴露,所述显示单元包括被配置为显示图像的多个有机发光二极管;
薄膜封装层,覆盖形成在所述第一无机层的第一部分上的所述显示单元,而不覆盖所述第一无机层的第二部分的大部分,但与所述第一无机层的第二部分的内边界部分接合以便完全封装所述显示单元,所述薄膜封装层包括至少一个有机层和至少一个无机层;以及
偏光膜,附接至并覆盖所述薄膜封装层以及所述第一无机层的延伸到所述薄膜封装层外侧之外的一部分,使得所述偏光膜与所述第一无机层结合地充分封装所述薄膜封装层和所述显示单元的组合,
其中:
在所述显示单元的外侧以及所述第一无机层的所述第二部分上放置有焊盘区,
集成电路芯片被放置在所述焊盘区上,并且
所述偏光膜不覆盖所述焊盘区。
2.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示器,其中:
所述偏光膜附接至并覆盖所述第一无机层的除了所述焊盘区之外的整个剩余区域。
3.根据权利要求2所述的有机发光二极管显示器,其中:
所述偏光膜包括与所暴露的焊盘区的边缘接触的一边以及与所述第一无机层的剩余区域的边缘匹配的三边。
4.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示器,其中:
所述柔性基板由聚合物膜形成,并且
所述第一无机层包括阻挡层和缓冲层中的至少一个。
5.一种制造有机发光二极管显示器的方法,包括:
在母基板上形成第一无机层;
在所述第一无机层上形成间隔开的多个显示单元以便限定多个单位单元的矩阵;
在所述显示单元的相应显示单元的上部形成间隔开的且相应的薄膜封装层,所述薄膜封装层包括至少一个有机层和至少一个无机层;
将一个或多个偏光膜附接至所述第一无机层,而同时覆盖所述薄膜封装层的所有或对应子集;并且
通过切割所述母基板和所述偏光膜将所述一个或多个偏光膜覆盖的所述多个单位单元分离成单个的单位单元,
其中:
所述多个单位单元中的每一个包括暴露在所述显示单元的外侧以便与外部电路电接触的焊盘区,
集成电路芯片被放置在所述焊盘区上,并且
所述一个或多个偏光膜不覆盖所述焊盘区。
6.根据权利要求5所述的制造有机发光二极管显示器的方法,其中:
所述母基板由柔性聚合物膜形成。
7.根据权利要求6所述的制造有机发光二极管显示器的方法,其中:
所述多个单位单元在彼此交叉的两个方向上成行布置,并且
所述多个显示单元和多个焊盘区中的每个在所述两个方向中的一个方向上成行布置。
8.根据权利要求7所述的制造有机发光二极管显示器的方法,其中:
由所述一个或多个偏光膜提供开口,所述开口在数目上与提供在所述母基板上的焊盘区的行的数目相同,其中所述开口是暴露相应的多个焊盘区的开口。
9.根据权利要求8所述的制造有机发光二极管显示器的方法,其中:
所述偏光膜被提供有与所述一个方向平行的狭缝状开口,以同时暴露被放置在所述一个方向上的所述多个焊盘区。
10.根据权利要求9所述的制造有机发光二极管显示器的方法,其中:
所述多个焊盘区中的一行焊盘区被放置在所述偏光膜的一个外侧边缘的外侧。
11.根据权利要求7所述的制造有机发光二极管显示器的方法,其中:
对于一个以上偏光膜的情况,所述偏光膜以与所述一个方向平行的杆状形成,以覆盖多个薄膜封装层中的与所述一个方向平行放置的一行薄膜封装层。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的