[发明专利]触摸屏及其制备方法有效
申请号: | 201410079325.3 | 申请日: | 2014-03-05 |
公开(公告)号: | CN103885633B | 公开(公告)日: | 2017-12-01 |
发明(设计)人: | 张迅;王海涛;向程;易伟华 | 申请(专利权)人: | 江西沃格光电股份有限公司 |
主分类号: | G06F3/041 | 分类号: | G06F3/041 |
代理公司: | 广州华进联合专利商标代理有限公司44224 | 代理人: | 吴平 |
地址: | 338004 江西省新余*** | 国省代码: | 江西;36 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 触摸屏 及其 制备 方法 | ||
1.一种触摸屏,包括玻璃基板,其特征在于,还包括依次层叠于所述玻璃基板上的增硬膜和防护膜,所述增硬膜的材料包括氧化铝和氧化钕,所述防护膜的材料为氟化钙;
所述增硬膜的厚度为
所述增硬膜与所述玻璃基板直接接触;
所述触摸屏的可见光透过率大于或等于95%;
所述增硬膜通过使用钕铝合金靶材溅射制备。
2.根据权利要求1所述的触摸屏,其特征在于,所述防护膜的厚度为
3.一种触摸屏的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:
提供玻璃基板;
以钕铝合金靶材作为溅射靶材,采用磁控溅射在所述玻璃基板的表面上制备增硬膜,所述增硬膜的材料包括氧化铝和氧化钕-;及
采用磁控溅射在所述增硬膜的表面上制备防护膜,得到所述触摸屏,其中,所述防护膜的材料为氟化钙;
所述增硬膜的厚度为
所述增硬膜与所述玻璃基板直接接触;
所述触摸屏的可见光透过率大于或等于95%。
4.根据权利要求3所述的触摸屏的制备方法,其特征在于,所述采用磁控溅射在所述玻璃基板的表面上制备增硬膜及采用磁控溅射在所述增硬膜的表面上制备防护膜的步骤中,所述玻璃基板的温度为120℃~200℃。
5.根据权利要求3所述的触摸屏的制备方法,其特征在于,所述采用磁控溅射在所述玻璃基板的表面上制备增硬膜及采用磁控溅射在所述增硬膜的表面上制备防护膜的步骤中,镀膜室的真空度为2.5×10-1Pa~3.50×10-1Pa。
6.根据权利要求3所述的触摸屏的制备方法,其特征在于,所述采用磁控溅射在所述玻璃基板的表面上制备增硬膜及采用磁控溅射在所述增硬膜的表面上制备防护膜的步骤中,所述玻璃基板与靶材的距离为15mm~25mm。
7.根据权利要求3所述的触摸屏的制备方法,其特征在于,所述采用磁控溅射在所述玻璃基板的表面上制备增硬膜及采用磁控溅射在所述增硬膜的表面上制备防护膜的步骤中,所述玻璃基板的运行速度为25mm/s~40mm/s。
8.根据权利要求3所述的触摸屏的制备方法,其特征在于,所述采用磁控溅射在所述玻璃基板的表面上制备增硬膜的步骤之前,还包括对所述玻璃基板进行减薄的步骤。
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