[发明专利]固体摄像装置及其制造方法

权利要求书

1.一种固体摄像装置，具备：

硅基板部，包括设置在与主面平行的平面内的多个摄像部；

彩色滤光层，在与上述主面垂直的方向上与上述硅基板部分离，具有比上述硅基板部的折射率低的折射率；

光透射性的第1光学层，设置在上述硅基板部与上述彩色滤光层之间，具有比上述彩色滤光层的上述折射率低、且比上述硅基板部的上述折射率低的第1折射率；

光透射性且多晶的第2光学层，设置在上述第1光学层与上述彩色滤光层之间，具有比上述第1折射率高且比上述硅基板部的上述折射率低的第2折射率；以及

光透射性的第3光学层，设置在上述第2光学层与上述彩色滤光层之间，具有比上述彩色滤光层的上述折射率低、且比上述第2折射率低的第3折射率。

2.根据权利要求1所述的固体摄像装置，其中，

上述第1光学层及上述第3光学层含有氧化硅，

上述第2光学层含有氧化钛。

3.根据权利要求1所述的固体摄像装置，其中，

上述第1光学层的厚度比380nm薄，

上述第2光学层的厚度比380nm薄，

上述第3光学层的厚度比380nm薄。

4.根据权利要求1所述的固体摄像装置，其中，

上述第1光学层的厚度为10纳米以上且小于25纳米，

上述第2光学层的厚度为25纳米以上且小于50纳米，

上述第3光学层的厚度为10纳米以上且200纳米以下。

5.根据权利要求1所述的固体摄像装置，其中，

530纳米的波长下的上述第2折射率为2.55以上且2.66以下。

6.根据权利要求5所述的固体摄像装置，其中，

530纳米的波长下的上述第1折射率为1.45以上且小于1.55，

530纳米的波长下的上述第3折射率为1.45以上且小于1.55。

7.根据权利要求1所述的固体摄像装置，其中，

530纳米的波长下的上述第2折射率为2.61以上且2.67以下。

8.根据权利要求7所述的固体摄像装置，其中，

530纳米的波长下的上述第1折射率为1.45以上且小于1.55，

530纳米的波长下的上述第3折射率为1.45以上且小于1.55。

9.根据权利要求1所述的固体摄像装置，其中，

上述第2光学层含有多晶的氧化钛，

上述第1光学层及上述第2光学层含有氧化硅。

10.根据权利要求1所述的固体摄像装置，其中，

上述第2光学层含有锐钛矿结构的氧化钛。

11.根据权利要求1所述的固体摄像装置，其中，

上述第2光学层含有金红石结构的氧化钛。

12.一种固体摄像装置的制造方法，其中，

在包括设置在与主面平行的平面内的多个摄像部的硅基板部的上方，形成包括光透射性的第1光学层、光透射性且多晶的第2光学层、及光透射性的第3光学层的层叠体，上述第1光学层具有比上述硅基板部的折射率低的第1折射率，上述第2光学层设置在上述第1光学层的上方，具有比上述第1折射率高且比上述硅基板部的上述折射率低的第2折射率，上述第3光学层设置在上述第2光学层的上方，具有比上述第2折射率低的第3折射率，

在上述层叠体的上方，形成具有比上述第1折射率高且比上述第3折射率高的折射率的彩色滤光层。

13.根据权利要求12所述的固体摄像装置的制造方法，其中，

上述第2光学层是氧化钛层，

在上述层叠体的形成中，

包括在上述第1光学层的上方形成非晶的氧化钛膜之后，通过热处理将上述非晶的氧化钛膜多晶化来形成上述第2光学层，并在上述第2光学层的上方形成上述第3光学层的过程；或者包括在上述非晶的氧化钛膜的上方一边加热一边形成上述第3光学层，将上述非晶的氧化钛膜多晶化，从而形成上述第2光学层的过程。

14.根据权利要求13所述的固体摄像装置的制造方法，其中，

上述热处理的温度为350℃以上且550℃以下。