[发明专利]固体摄像装置及其制造方法

说明书

相关申请的引用

本申请基于2013年3月12日申请的在先日本专利申请第2013-049703号的优先权，且主张其优先权利益，其全部内容通过引用包含在本说明书中。

技术领域

在此说明的多个实施方式整体上涉及一种固体摄像装置及其制造方法。

背景技术

例如，在CMOS图像传感器及CCD图像传感器等固体摄像装置中，存在为了提高灵敏度而在摄像部与彩色滤光层之间设置有调整折射率来抑制反射的层的结构。要求提高灵敏度的同时得到稳定的特性。

发明内容

本发明的实施方式提供一种高稳定性且高灵敏度的固体摄像装置及其制造方法。

根据一个实施方式，提供一种包括硅基板部、彩色滤光层、第1光学层、第2光学层及第3光学层的固体摄像装置。上述硅基板部包括设置在与主面平行的平面内的多个摄像部。上述彩色滤光层在与上述主面垂直的方向上与上述硅基板部分离，具有比上述硅基板部的折射率低的折射率。上述第1光学层设置在上述硅基板部与上述彩色滤光层之间，具有比上述彩色滤光层的上述折射率低且比上述硅基板部的上述折射率低的第1折射率，且为光透射性。上述第2光学层设置在上述第1光学层与上述彩色滤光层之间，具有比上述第1折射率高且比上述硅基板部的上述折射率低的第2折射率，是光透射性且为多晶。上述第3光学层设置在上述第2光学层与上述彩色滤光层之间，具有比上述彩色滤光层的上述折射率低且比上述第2折射率低的第3折射率，且为光透射性。

根据另一个实施方式，提供一种固体摄像装置的制造方法，在包括设置在与主面平行的平面内的多个摄像部的硅基板部的上方，形成包括光透射性的第1光学层、光透射性且多晶的第2光学层、及光透射性的第3光学层的层叠体，上述第1光学层具有比上述硅基板部的折射率低的第1折射率，上述第2光学层设置在上述第1光学层的上方，具有比上述第1折射率高且比上述硅基板部的上述折射率低的第2折射率，上述第3光学层设置在上述第2光学层的上方，具有比上述第2折射率低的第3折射率，在上述层叠体的上方，形成具有比上述第1折射率高且比上述第3折射率高的折射率的彩色滤光层。

根据上述方案，能够得到高稳定性且高灵敏度的固体摄像装置及其制造方法。

附图说明

图1是例示第1实施方式所涉及的固体摄像装置的示意性剖视图。

图2是例示第1实施方式所涉及的固体摄像装置的示意性俯视图。

图3是例示固体摄像装置的特性的坐标图。

图4是例示固体摄像装置的特性的坐标图。

图5是例示固体摄像装置的特性的坐标图。

图6是例示第2实施方式所涉及的固体摄像装置的制造方法的流程图。

图7是例示第2实施方式所涉及的固体摄像装置的制造方法的流程图。

图8是例示第2实施方式所涉及的固体摄像装置的其他制造方法的流程图。

图9是例示第2实施方式所涉及的固体摄像装置的其他制造方法的流程图。

具体实施方式

以下，参照附图说明本发明的各实施方式。

附图是示意性或概念性的表示，各部分的厚度与宽度的关系、部分之间的大小的比率等不一定与现实相同。此外，即使在表示相同部分的情况下，也存在彼此的尺寸及比率根据附图而不同地表示的情况。在本说明书和各图中，对于与已在附图中说明过的要素相同的要素附加同一符号并适当省略详细的说明。

(第1实施方式)

图1是例示第1实施方式所涉及的固体摄像装置的示意性剖视图。

如图1所示，本实施方式所涉及的固体摄像装置110包括硅基板部10、彩色滤光层50、第1光学层31、第2光学层32及第3光学层33。在该例子中，固体摄像装置110是背面照射型的摄像装置。在背面照射型的摄像装置中，光从硅基板部10的背面侧入射。固体摄像装置110例如是CMOS图像传感器的例子。

硅基板部10具有主面10a。例如，可以将硅基板部10的1个面(例如上表面)设为主面10a。

将与主面10a垂直的方向设为Z轴方向。将与Z轴方向垂直的1个方向设为X轴方向。将与Z轴方向及X轴方向垂直的方向设为Y轴方向。