[发明专利]半导体发光元件、发光装置及制造半导体发光元件的方法

权利要求书

1.一种半导体发光元件，包括：

层叠主体，该层叠主体包括：

第一导电类型的第一半导体层，

在第一方向上与第一半导体层分开的第二导电类型的第二半导体层，以及

设置在第一半导体层与第二半导体层之间的发光层；

第一金属层，该第一金属层在第一方向上与层叠主体层叠从而电连接到第一半导体层和第二半导体层当中所选的一个，其中第一金属层具有在第一方向上延伸的侧表面；以及

覆盖第一金属层的侧表面的至少一部分的第二金属层，其中第二金属层的反射率高于第一金属层的反射率。

2.根据权利要求1的半导体发光元件，其中，第一金属层在第一方向上的长度长于层叠主体在第一方向上的长度，并且第一金属层在垂直于第一方向的第二方向上的长度长于层叠主体在第二方向上的长度。

3.根据权利要求1的半导体发光元件，其中，第二金属层覆盖第一金属层的整个侧表面。

4.根据权利要求1的半导体发光元件，其中，第一金属层的至少一部分被设置在层叠主体与第二金属层之间。

5.根据权利要求1的半导体发光元件，其中，第一金属层的热导率高于第二金属层的热导率。

6.根据权利要求1的半导体发光元件，其中，第二金属层的热膨胀系数低于第一金属层的热膨胀系数。

7.根据权利要求1的半导体发光元件，还包括绝缘层和第一电极，其中，

第二半导体层被布置在第一半导体层与第一金属层之间，

当被投影到垂直于第一方向的平面上时，第一半导体层具有与第二半导体层重叠的第一部分以及不与第二半导体层重叠的第二部分，

绝缘层被设置在第二部分与第一金属层之间，

第一电极被设置在第二部分与绝缘层之间，第一电极电连接到第一半导体层。

8.根据权利要求1的半导体发光元件，还包括设置在第一半导体层上的第一电极，第一电极电连接到第一半导体层，

第二半导体层被布置在第一半导体层与第一金属层之间。

9.根据权利要求7的半导体发光元件，还包括设置在第二半导体层与第一金属层之间的第二电极，第二电极电连接到第二半导体层。

10.根据权利要求9的半导体发光元件，还包括设置在第二电极与第一金属层之间的中间金属层。

11.根据权利要求1的半导体发光元件，其中，

第一金属层的侧表面关于第一方向倾斜，并且

第一金属层在垂直于第一方向的第二方向上的长度被配置成在从层叠主体到第一金属层的方向上减小。

12.根据权利要求1的半导体发光元件，其中，第一金属层包括从Si、Cu、Ni和Au当中所选择的至少一种。

13.根据权利要求1的半导体发光元件，其中，第二金属层包括从Ni、Ag和Al当中所选择的至少一种。

14.根据权利要求1的半导体发光元件，其中，第一金属层在第一方向上的长度不小于层叠主体在第一方向上的长度的5倍。

15.根据权利要求1的半导体发光元件，其中，

第二半导体层被布置在第一半导体层与第一金属层之间，

第一半导体层在垂直于第一方向的第二方向上的长度短于发光层在第二方向上的长度，并且

发光层在第二方向上的长度短于第二半导体层在第二方向上的长度。

16.根据权利要求1的半导体发光元件，还包括波长转换层，所述波长转换层被配置成覆盖层叠主体、与第一金属层的侧表面相对并且覆盖第二金属层的至少一部分，以便转换从发光层发出的光的波长。