[发明专利]半导体发光元件、发光装置及制造半导体发光元件的方法

说明书

相关申请的交叉引用

本申请是基于2013年3月14日提交的日本专利申请号2013-052527并且要求其优先权；其全部内容被合并在此以作参考。

技术领域

这里所描述的实施例总体上涉及半导体发光元件、发光装置以及用于制造半导体发光元件的方法。

背景技术

存在例如发光二极管、激光二极管之类的半导体发光元件。存在使用此类半导体发光元件的发光装置。在半导体发光元件中，由Si或Cu等构成的支持衬底被用来支持半导体晶体层。希望提高这样的包括支持衬底的半导体发光元件和发光装置的光提取效率。

附图说明

图1A和1B是示出了根据第一实施例的半导体发光元件的示意图；

图2是示出了根据第一实施例的发光装置的示意性剖面图；

图3A到3D是示出了根据第一实施例的用于制造半导体发光元件的方法的示意性剖面图；

图4A到4D是示出了根据第一实施例的用于制造半导体发光元件的方法的示意性剖面图；

图5A到5D是示出了根据第一实施例的用于制造半导体发光元件的方法的示意性剖面图；

图6A到6D是示出了根据第一实施例的用于制造半导体发光元件的方法的示意性剖面图；

图7A和7B是示出了根据第一实施例的用于制造半导体发光元件的另一种方法的示意性剖面图；

图8是示出了根据第一实施例的另一种半导体发光元件的示意性剖面图；

图9A到9D是示出了根据第一实施例的用于制造半导体发光元件的方法的示意性剖面图；

图10A到10C是示出了根据第一实施例的其他半导体发光元件的示意性剖面图；

图11A和11B是示出了根据第一实施例的其他半导体发光元件的示意性剖面图；

图12是示出了根据第一实施例的另一种半导体发光元件的示意性剖面图；

图13是示出了根据第一实施例的另一种发光装置的示意性剖面图；以及

图14是示出了根据第二实施例的用于制造半导体发光元件的方法的流程图。

具体实施方式

根据一个实施例，半导体发光元件包括层叠主体、第一金属层和第二金属层。层叠主体包括第一半导体层、第二半导体层和发光层。第一半导体层具有第一导电类型。第二半导体层具有第二导电类型并且在第一方向上与第一半导体层分开。发光层被设置在第一半导体层与第二半导体层之间。第一金属层在第一方向上与层叠主体层叠，从而电连接到第一半导体层和第二半导体层当中所选的一个。第一金属层具有在第一方向上延伸的侧表面。第二金属层覆盖第一金属层的侧表面的至少一部分。第二金属层的反射率高于第一金属层的反射率。

根据另一个实施例，发光装置包括半导体发光元件、安放衬底和波长转换层。半导体发光元件包括层叠主体、第一金属层和第二金属层。层叠主体包括第一半导体层、第二半导体层和发光层。第一半导体层具有第一导电类型。第二半导体层具有第二导电类型并且在第一方向上与第一半导体层分开。发光层被设置在第一半导体层与第二半导体层之间。第一金属层在第一方向上与层叠主体层叠，从而电连接到第一半导体层和第二半导体层当中所选的一个。第一金属层具有在第一方向上延伸的侧表面。第二金属层覆盖第一金属层的侧表面的至少一部分。第二金属层的反射率高于第一金属层的反射率。安放衬底支持半导体发光元件。波长转换层被配置成覆盖所述元件、覆盖安放衬底的至少一部分、与第一金属层的侧表面相对并且覆盖第二金属层的至少一部分，以便转换从发光层发出的光的波长。

根据另一个实施例，公开了一种用于制造半导体发光元件的方法。所述方法可以包括准备工件。所述工件包括生长衬底和层叠膜。层叠膜被设置在生长衬底上。层叠膜包括第一半导体膜、第二半导体膜和发光膜。第一半导体膜具有第一导电类型。第二半导体膜具有第二导电类型，并且在生长衬底和层叠膜的层叠方向上与第一半导体膜分开。发光膜被设置在第一半导体膜与第二半导体膜之间。所述方法可以包括在层叠膜上形成多个金属层。每一个金属层具有在层叠方向上延伸的侧表面。所述方法可以包括在层叠膜上以及在每一个金属层上形成金属膜，从而覆盖每一个金属层的侧表面的至少一部分。金属膜的反射率高于每一个金属层的反射率。

后面将参照附图描述各个实施例。

附图是示意性或概念性的；并且各个部分的厚度与宽度之间的关系、各个部分之间的尺寸比例等等不一定与其实际数值相同。此外，即使对于完全相同的部分，其尺寸和/或比例在不同附图之间可能也是以不同方式示出的。