[发明专利]无掺杂GeSn量子阱的金属氧化物半导体场效应晶体管无效
| 申请号： | 201410080145.7 | 申请日： | 2014-03-06 |
| 公开（公告）号： | CN103811557A | 公开（公告）日： | 2014-05-21 |
| 发明（设计）人： | 刘艳;韩根全;刘明山 | 申请（专利权）人： | 重庆大学 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/10;H01L29/15;H01L29/24 |
| 代理公司： | 重庆华科专利事务所 50123 | 代理人： | 康海燕 |
| 地址： | 400030 *** | 国省代码： | 重庆;85 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 掺杂 gesn 量子 金属 氧化物 半导体 场效应 晶体管 | ||
1.一种无掺杂GeSn量子阱的 p 型金属氧化物半导体场效应晶体管，其特征在于，包括：
一基底，其上生长有半导体材料；
一 沟道，为单晶GeSn材料，其通式为Ge1-xSnx（0<x<0.20）,未经掺杂，位于所述半导体材料上；
一绝缘介电质薄膜，位于所述沟道上；
一栅电极，覆盖在所述绝缘介电质薄膜上；
一源极与一漏极，分别位于所述栅电极的两侧；
第一绝缘间隙壁，位于所述栅极和源极之间，隔开栅极和源极；
第二绝缘间隙壁，位于所述栅极和漏极之间，隔开栅极和漏极;
所述半导体材料的禁带宽度比沟道GeSn大，所述沟道GeSn的厚度为3-15nm，形成价带带阶，将空穴限制在量子阱。
2.如权利要求1所述的无掺杂GeSn量子阱的p型金属氧化物半导体场效应晶体管，其特征在于，基底上生长的半导体材料采用Ge或SiGe。
3.如权利要求1所述的无掺杂GeSn量子阱的p型金属氧化物半导体场效应晶体管，其特征在于，基底上利用外延生长技术或者键合技术生长所述半导体材料。
4.如权利要求1所述的无掺杂GeSn量子阱的p型金属氧化物半导体场效应晶体管，其特征在于，其中基底是半导体材料，或者绝缘体材料。
5.如权利要求1所述的无掺杂GeSn量子阱的p型金属氧化物半导体场效应晶体管，其特征在于，其中沟道单晶GeSn材料是利用外延生长技术或者利用键合技术生长在半导体材料上。
6.如权利要求1-5之任一项所述的无掺杂GeSn量子阱的p型金属氧化物半导体场效应晶体管，其特征在于，其中源极和漏极的材料是NiGeSn合金材料。
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