[发明专利]一种基于纳米线的平面环栅晶体管及其制备方法

权利要求书

1.一种基于InAs纳米线的平面环栅晶体管的制备方法，包括如下步骤：

1)在衬底首先甩一层PMMA A2胶，然后在匀过胶的衬底上转移上InAs纳米线，并使用扫描电镜定位InAs纳米线；再甩一层PMMA A4胶，将InAs纳米线夹杂两层胶中间，所述InAs纳米线是在进行生长InAs纳米线的过程中自然引入掺杂的自掺杂低阻纳米线，所述衬底为已有标记的衬底；

2)通过定位、曝光和显影、定影过程，定义出栅电极区，电子束曝光，开出栅电极窗口并对栅电极窗口进行去残胶处理，然后腐蚀掉栅电极窗口下的InAs纳米线的本征氧化层；

3)在栅电极窗口下的InAs纳米线上采用原子层沉积方法生长高介电常数的栅介质；在生长栅介质层后，直接用磁控溅射镀膜仪进行镀膜，制备栅电极，然后使用丙酮进行剥离；

4)通过画版图、旋涂电子束光刻胶PMMA A4、电子束曝光、显影和定影过程，曝光出源电极和漏电极的区域，开出源电极窗口和漏电极窗口，并对源电极窗口和漏电极窗口进行去残胶处理，然后腐蚀掉源电极窗口和漏电极窗口下的InAs纳米线的本征氧化层；

5)制备源电极和漏电极以形成欧姆接触，然后剥离。

2.如权利要求1所述的基于InAs纳米线的平面环栅晶体管的制备方法，其特征在于，步骤2)和4)中，去残胶的方法为氧等离子去残胶，使用硫胺溶液或是HCL和IPA的混合酸性溶液进行腐蚀。

3.如权利要求1所述的基于InAs纳米线的平面环栅晶体管的制备方法，其特征在于，步骤5)中，所述源电极和漏电极的制备方法为热蒸发镀膜、电子束镀膜或者溅射。

4.利用权利要求1-3任意一项所述的制备方法制备的基于InAs纳米线的平面环栅晶体管，所述基于InAs纳米线的平面环栅晶体管的导电沟道是被栅电极包围悬浮平行于衬底的InAs纳米线，栅电极以及栅介质包围InAs纳米线使得InAs纳米线与衬底分离而悬浮；源电极和漏电极包裹InAs纳米线而与栅电极及栅介质之间具有间距。